Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г., Щукина О.Ю. «Влияние ультразвукового воздействия на генерационные характеристики границы раздела кремний–диоксид кремния» Письма в Журнал технической физики, 29, № 9, с. 83-88 (2003)

Исследовано влияние ультразвукового воздействия на генерационные характеристики границы раздела кремний–диоксид кремния, полученной при термическом окислении поверхности кремния. Показано, что ультразвуковое воздействие приводит к уменьшению скорости поверхностной генерации и увеличению генерационного времени жизни неосновных носителей заряда. Обнаруженные эффекты связаны с перестройкой дефектной структуры переходного слоя на границе раздела Si–SiO₂ и прилегающей к ней области Si.

Аюпов К.С., Бахадырханов М.К., Зикрилаев Н.Ф. «Твердотельный генератор звуковых частот на основе p⁺–p(Si(Mn))–p⁺ структур» Письма в Журнал технической физики, 21, № 14, с. 18-21 (1995)

Адамашвили Г.Т., Адамашвили Н.Т., Моцонелидзе Г.Н., Пейкришвили М.Д. «Поверхностные акустические бризеры самоиндуцированной прозрачности в полупроводниках» Письма в Журнал технической физики, 32, № 4, с. 82-88 (2006)

Построена теория нелинейных поверхностных акустических волн в полупроводниках при наличии парамагнитных примесей. Рассматривается процесс образования поверхностных акустических бризеров в условиях акустической самоиндуцированной прозрачности. Получены явные аналитические выражения для бризеров рэлеевских волн. Показано, что взаимодействие акустической волны с электронами проводимости приводит к слабому затуханию амплитуды и изменению параметров бризера.

Вигдорчик Н.Е. «Возможность существования и усиления акустических солитонов огибающей в акустоэлектронной системе» Письма в Журнал технической физики, 15, № 12, с. 59-61 (1989)

Мансфельд Г.Д., Гуляев Ю.В., Косаковская З.Я., Алексеев С.Г., Сарайкин В.В. «Акустические и акустоэлектронные свойства углеродных нанотрубных пленок» Физика твердого тела, 44, № 4, с. 649-651 (2002)

С помощью акустической резонаторной СВЧ-спектроскопии открыт эффект самопроизвольного легирования нанотрубок атомами подложки. Наблюдался акустоэлектрический эффект в нанотрубных пленках на поверхностных акустических волнах. Проанализирована возможность использования нанотрубных пленок для эффективного возбуждения акустических волн в твердых телах за счет электрострикции.

Алиев А.Э., Бурак Я.В., Воробьев В.В., Лысейко И.Т., Чарная Е.В. «Затухание ультразвука в ионном проводнике Li₂B₄O₇» Физика твердого тела, 32, № 9, с. 2826-2828 (1990)

Шибков А.А., Денисов А.А., Желтов М.А., Золотов А.Е., Гасанов М.Ф., Иволгин В.И. «Исследование влияния электрического тока на прерывистую деформацию и акустическую эмиссию в алюминий-магниевом сплаве АМг5» Физика твердого тела, 57, № 6, с. 1046-1051 (2015)

Влияние постоянного электрического тока на прерывистую деформацию алюминий-магниевого сплава АМг5 исследовали методами акустической эмиссии и высокоскоростной видеосъемки распространяющихся деформационных полос. Обнаружено явление подавления током сигналов низкочастотной акустической эмиссии в полосе 1 Hz – 2 kHz, связанной с развитием деформационных полос Портевена–Ле Шателье. Сделаны оценки характерных времен затухания и нарастания пластических неустойчивостей и вызванных ими акустических сигналов после включения и выключения тока соответственно.

Гонтарук А.Н., Корбутяк Д.В., Корбут Е.В., Мачулин В.Ф., Олих Я.М., Тартачник В.П. «Деградационно-релаксационные явления в светоизлучающих p-n-структурах на основе фосфида галлия, стимулированные ультразвуком» Письма в Журнал технической физики, 24, № 15, с. 64-68 (1998)

Исследованы процессы, происходящие в светодиодах фосфида галлия, подвергнутых ультразвуковой обработке. Обнаружено, что в поле ультразвуковой волны интенсивность свечения диодов монотонно уменьшается; после прекращения действия ультразвука наблюдается постепенное восстановление интенсивности излучательной рекомбинации. Деградационные явления возникают в результате разрушающего воздействия ультразвука на связанные экситоны и возникновения неравновесных при комнатной температуре дислокационных скоплений.

Антинян М.А., Галечян Г.А., Тавакалян Л.Б. «Влияние прокачки газа на модуляцию тока звуком в разряде азота» Журнал технической физики, 62, № 5, с. 164-168 (1992)

Симаков И.Г. «Влияние влажной среды на параметры акустоэлектронных устройств» Сборник трудов Научной конференции "Сессия Научного совета РАН по акустике и XXVII сессия Российского акустического общества", посвященной памяти ученых-акустиков ФГУП «Крыловский государственный научный центр» А.В. Смольякова и В.И. Попкова, с. на CD (2014)

Рассмотрено влияние влажной газовой среды на параметры акустоэлектронных ПАВ-устройств (устройств на поверхностных акустических волнах). Исследовано влияние влажной газовой нагрузки и адсорбции влаги на условия распространения поверхностных акустических волн в акустическом тракте ПАВ-устройства. Показано, что основным дестабилизирующими фактором работы акустоэлектронных ПАВ-устройств являются полимолекулярная адсорбция водяного пара. Исследовано влияние полимолекулярной адсорбции на изменение скорости и затухание поверхностных акустических волн в системе адсорбционный слой воды – подложка ниобата лития. Найдены значения температурного коэффициента времени задержки в акустическом тракте, нагруженном слоем адсорбированной воды. Показано, что при наличии адсорбционного слоя температурный коэффициент времени задержки данной системы уменьшается с ростом толщины слоя и проходит нулевое значение.

Симаков И.Г., Гулгенов Ч.Ж. «Акустические методы измерения параметров жидкостей в граничном слое» Сборник трудов Научной конференции "Сессия Научного совета РАН по акустике и XXVII сессия Российского акустического общества", посвященной памяти ученых-акустиков ФГУП «Крыловский государственный научный центр» А.В. Смольякова и В.И. Попкова, с. на CD (2014)

Продемонстрирована возможность использования поверхностных акустических волн для исследования жидкости в граничной фазе. Показано, что акустоэлектронные методы могут успешно дополнять существующие методы исследования граничных слоев жидкостей и релаксационных процессов в них. Результаты исследования могут быть использованы для разработки чувствительных адсорбционных датчиков.

Илисавский Ю.В., Яхкинд Э.З., Гольцев А.В., Дьяконов К.В. «Нелинейное акустоэлектронное взаимодействие в тонких сверхпроводящих пленках свинца» Физика твердого тела, 39, № 10, с. 1753-1760 (1997)

Исследовано влияние мощных поверхностных акустических волн (ПАВ) на сверхпроводящее состояние пленок Pb при различных напряженностях поперечного магнитного поля. Установлено, что звуковая волна большой интенсивности изменяет величину T_c пленки и форму сверхпроводящего перехода, причем наблюдаемые изменения тем больше, чем выше интенсивность ПАВ. Обнаружено, что мощные ПАВ могут вызывать депиннинг вихрей в пленке и уменьшать величину критического тока. Обсуждаются различные механизмы, ответственные за природу наблюдаемых эффектов.

Буримов Н.И., Решетько А.В., Серебренников Л.Я. «Исследование акустоэлектронного частотомера, использующего интерференцию поверхностных акустических волн» Письма в Журнал технической физики, 14, № 21, с. 1941-1944 (1988)

Зайцев Б.Д., Кузнецова И.Е., Попов В.В. «Влияние эффекта поля на характеристики поверхностных акустических волн в структуре металл–диэлектрик–полупроводник на основе арсенида галлия» Письма в Журнал технической физики, 22, № 24, с. 25-29 (1996)

Сучков С.Г., Николаевцев В.А., Сучков Д.С., Янкин С.С., Ермишин В.В., Россошанский А.В. «Интегральная антенна для эффективной работы акустоэлектронной идентификационной метки в диапазоне частот 5,5–6,5 ГГц» Сборник трудов Научной конференции "Сессия Научного совета РАН по акустике и XXVII сессия Российского акустического общества", посвященной памяти ученых-акустиков ФГУП «Крыловский государственный научный центр» А.В. Смольякова и В.И. Попкова, с. на CD (2014)

Проводится анализ и обоснование выбора конструкции интегральной антенны, которая должна обладать характеристиками, необходимыми для надежной работы акустоэлектронной радиочастотной идентификационной метки. Обсуждаются результаты теоретического исследования и даются оптимальные параметры антенны, согласованной с встречно-штыревым преобразователем на диапазоне 5,5–6,5 ГГц.

Петрищев О.Н. «Принципы построения математических моделей акустоэлектронных устройств обработки и преобразования информации» Электроника и связь (Електроніка та звязок, укр.), № 15, с. 30-34 (2002)

Камилов И.К., Жохов В.З. «Хаотические акустоэлектрические колебания тока в пьезополупроводниках» Физика твердого тела, 43, № 6, с. 992-996 (2001)

Представлены результаты исследований по влиянию сверхзвукового дрейфа носителей тока на генерацию фононов в кристаллах теллура в условиях возникновения звуковой неустойчивости, приводящей к развитию динамического хаоса. Прослеживаются экспериментально все стадии развития стохастичности в зависимости от внешних условий: величины постоянного электрического поля, определяющей дрейф носителей тока, величины и направления магнитного поля. Показано, что с ростом электрического и магнитного полей периодические колебания тока через бифуркации удвоения и утроения частоты переходят в хаотические. Описываются математическая модель в виде фазовых траекторий диссипативной динамической системы и спектральные портреты, соответствующие переходным процессам.

Олих О.Я., Островский И.В. «Увеличение длины диффузии электронов в кристаллах p-кремния под действием ультразвука» Физика твердого тела, 44, № 7, с. 1198-1202 (2002)

Исследовано влияние ультразвука в диапазоне 0.8–5.5 MHz на длину диффузии неосновных носителей заряда в бездислокационном p-кремнии. Длина диффузии измерялась методом поверхностного фотоэлектрического напряжения. Обнаружен эффект ее динамического увеличения (в 2 раза при интенсивности звука 3 W/cm²). Исследованы амплитудные зависимости эффекта и его кинетические характеристики при ультразвуковом нагружении образцов и после выключения звука. Для объяснения наблюдаемых явлений предложена модель перестройки рекомбинационных центров под действием ультразвука.

Кулакова Л.А. «Акустоэлектронное взаимодействие в лазерных гетероструктурах InGaAsP/InP» Физика твердого тела, 47, № 12, с. 2228-2231 (2005)

Исследована динамика изменения спектральных характеристик излучения лазерной гетероструктуры под влиянием переменной деформации, обусловленной поверхностной акустической волной. Выполнены исследования спектрального распределения интенсивности лазерного излучения с целью выявления механизмов взаимодействия в исследуемых структурах. Предложена модель и проведен теоретический анализ полученных экспериментальных результатов. Показано, что определяющую роль при воздействии поверхностными волнами играет акустоэлектронное взаимодействие. Из сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными получены значения девиации наблюдающейся частотной модуляции излучения.

Паращук В.В., Русаков К.И. «Об акустоэлектронном механизме кристаллографической ориентации неполного электрического пробоя» Физика твердого тела, 48, № 7, с. 1164-1166 (2006)

Проанализирован вклад акустоэлектронного взаимодействия в развитие стримерных разрядов для модельной среды – кристаллов CdS – и установлены закономерности анизотропии эффекта фокусировки неравновесных фононов, вытекающие из исследования поверхностей рефракции шестого порядка и обусловливающие детерминированность (привязку) отдельных фононных мод к ориентации стримеров разного типа. Показана необходимость учета при этом нелинейных эффектов, в первую очередь влияния сильного электрического поля, точности измерения используемых в расчете данных и влияния на них различных внешних факторов, а также анализа более информативных поверхностей лучевых скоростей.

Воронов Б.Б., Коробов А.И. «Акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре LiNbO₃-VO₂ при фазовом переходе полупроводник–металл» Физика твердого тела, 30, № 7, с. 2240-2243 (1988)

Аверкиев Н.С., Илисавский Ю.В., Осипов Е.Б., Стернин В.М. «Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках со сложной структурой зон» Физика твердого тела, 31, № 3, с. 241-251 (1989)

Построена теория поглощения звука свободными носителями заряда в полупроводниках со структурой валентной зоны типа Ge и Si. Выполнены систематические измерения коэффициента поглощения звука в кремнии p-типа в широком диапазоне концентраций и температур. Проанализированы различные механизмы упругого рассеяния дырок и показано, что в условиях эксперимента наиболее эффективным механизмом релаксации, вызывающим поглощение акустической волны, является рассеяние на заряженных примесях. В рамках предложенной теории вычислена подвижность дырок. Сделан вывод, что в рассмотренных кинетических процессах основную роль играет внутризонное рассеяние носителей заряда. Продемонстрировано хорошее согласие между теоретической и экспериментальной концентрационными зависимостями коэффициента поглощения звука при различных температурах.

Гитис М.Б. «Поглощение звука свободными носителями в полупроводниках» Физика твердого тела, 31, № 10, с. 166-174 (1989)

Исследовано поглощение и усиление звука свободными носителями заряда в полупроводниках с электрическими неоднородностями, возникающими из-за флуктуации концентрации примесей. Последние создают крупномасштабный (по сравнению со средним расстоянием между примесями) потенциал. Наличие крупномасштабного потенциала учитывается введением в уравнения Максвелла внутреннего электрического поля и неоднородного распределения носителей в пространстве. Формулы для коэффициента поглощения и скорости звука получены путем решения системы стохастических уравнений приближенным методом Дайсона. При вычислении коэффициента поглощения звука использовались модельные (экспоненциальный и гауссовый) коэффициенты корреляции флуктуации концентрации примесей. Полученные формулы слабо зависят от вида коэффициента корреляции. Они позволяют объяснить полученные ранее экспериментальные результаты по поглощению звука в пьезополупроводниках: уменьшение высоты и смещение местоположения по шкале электропроводностей максимума коэффициента поглощения звука (усиления) по сравнению с теорией, развитой для однородных образцов. Обсуждается возможность использования акустических измерений для оценок параметров электрических неоднородностей в полупроводниках.

Шмелев Г.М., Чебан И.С., Фуркулица В.Д. «Прыжковый акустогальванический эффект» Физика твердого тела, 32, № 3, с. 933-934 (1990)

Коварский В.А., Белоусов А.В., Чеботарь В.Н., Пишкова Т.В. «Акустостимулированный туннельный захват носителей тока на глубокие примесные уровни» Физика твердого тела, 32, № 5, с. 1345-1349 (1990)

Исследуется влияние генерации высокочастотных фононов, в том числе терагерцевого диапазона, на безызлучательные процессы рекомбинации. В модели потенциала нулевого радиуса показано, что скорость безызлучательного перехода существенно зависит от изменения интенсивности потока неравновесных акустических фононов.

Чабан А.А. «Акустоэлектрические явления в сверхрешетках» Физика твердого тела, 32, № 7, с. 2137-2138 (1990)

Баранский П.И., Беляев А.Е., Комиренко С.М., Шевченко Н.В. «Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов» Физика твердого тела, 32, № 7, с. 2159-2161 (1990)

Мысливец К.А., Олих Я.М. «Роль малоугловых границ в изменении рекомбинационной активности глубоких центров кристаллов n-Cd_xHg_1–xTe под действием ультразвука» Физика твердого тела, 32, № 10, с. 2912-2916 (1990)

Методом релаксацип фотопроводимости (λ = 10.6 мкм) исследованы температурные (77–200 K) зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда в подвергнутых ультразвуковой обработке кристаллах n-Cd_xHg_1–xTe (x ∼0.22) с линейной плотностью малоугловых границ в пределах 10–80 см^–1. На основании данных о параметрах центров рекомбинации (E_a_;32/ 64 мэВ, Na_;10¹⁴–10¹⁶см^–3, C_n_;(0.6–4.2)·10^–9 см³/с) и электрофизических характеристик (n₀, μ_n), их изменений в зависимости от режимов ультразвуковой обработки рассмотрены возможные механизмы УЗ преобразований в системе точечных структурных дефектов данных кристаллов.

Герман А.И., Гитис М.Б., Чайковский И.А. «Оценка параметров электрических микронеоднородностей в полупроводниках акустическими методами» Физика твердого тела, 32, № 11, с. 3245-3252 (1990)

Предложен метод оценки характерного размера неоднородностей электрического происхождения в полупроводниках, основанный на сравнении частотных зависимостей коэффициента поглощения звука и эффективной проводимости на переменном токе. Рассмотрено поглощение продольных ультразвуковых волн в электрически неоднородном полупроводнике в случае сравнимости длины волны звука с характерным размером флуктуации электронной плотности, когда необходимо учитывать эффекты пространственной дисперсии. Механизм электроупругого взаимодействия выбран пьезоэлектрическим. Показано, что коэффициент поглощения звука на данной частоте определяется продольной по волновому вектору звука компонентой тензора эффективной проводимости, найденной с учетом пространственной дисперсии. Для конкретного вида корреляционной функции пространственных флуктуации электронной плотности найдены явный вид эффективной проводимости и ее зависимость от волнового вектора.

Рысаков В.М. «Особенности развития акустоэлектрического домена в условиях акустической неустойчивости» Физика твердого тела, 32, № 12, с. 3465-3469 (1990)

Отмечено, что причины образования акустоэлектрического домена (АЭД) и особенности его развития до сих пор еще не поняты. Для объяснения экспоненциального или даже суперэкспоненциального роста интенсивности АЭД в нелинейном режиме предлагается учесть перераспределение как поля, так и заряда. Перераспределение поля, во-первых, увеличивает коэффициент усиления в домене, во-вторых, расширяет динамический диапазон, чем препятствует уменьшению коэффициента усиления за счет нелинейных эффектов. Перераспределение зарядов повышает концентрацию в домене примерно на порядок, тем самым условия экранирования приближаются к оптимальным, а эффективное число взаимодействующих электронов увеличивается. Совместное влияние перераспределения поля и перераспределения заряда увеличивает линейный диапазон приблизительно на два порядка, что соответствует эксперименту. Объяснение смещения спектра в область первой субгармоники общепринято производить одномерными взаимодействиями типа параметрических. Однако ряд экспериментов противоречит этому. Предлагается новый механизм, основанный на учете поперечной некогерентности потока. В нелинейном режиме продольная подвижность электронов ограничена из-за захвата пьезопотенциалом акустической волны, однако поперечная не изменена и из-за отсутствия поперечной когерентности в волне электроны могут совершать "змейковое" движение в волне, огибая горбы пьезопотенциала. Такое движение ведет к эффективному понижению средней частоты и когерентизации потока, что соответствует экспериментам.

Илисавский Ю.В., Яхкинд Э.З., Гольман Е.К., Карманенко С.Ф. «Акустоэлектронное взаимодействие в сверхпроводящих пленках YBa₂Cu₃O_7–x» Физика твердого тела, 33, № 3, с. 824-829 (1991)

В слоистой структуре (YZ-LiNbO₃)–(YBa₂Cu₃O_7–x) исследован акустоэлектрический эффект, определяющийся взаимодействием звука и электронной подсистемы. Выше температуры сверхпроводящего перехода эффект имеет характер, обычный для металлической дырочной проводимости. Ниже T_c акустоэдс и акустоток изменяют знак. Исследовано влияние поперечного магнитного поля. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых зависимостей.

Гаршка Э.П., Сакалаускас К.Ю. «Акустическое преобразование в структуре МДП» Физика твердого тела, 33, № 3, с. 989-991 (1991)

Воробьев В.В., Чарная Е.В. «Анизотропия ионного транспорта и механизмы акустоионного взаимодействия в кристаллах α-LiIO₃» Физика твердого тела, 33, № 5, с. 1455-1461 (1991)

Исследованы аномалии акустических свойств кристаллов α-LiIO₃, обусловленные двумя механизмами акустоионного взаимодействия – за счет пьезоэффекта и деформационного потенциала. Получены данные относительно анизотропии высокочастотной ионной проводимости и энергии активации, частоты попыток, потенциалов деформации и концентрации ионов, участвующих в переносе заряда перпендикулярно оси шестого порядка кристаллов.

Гололобов Ю.П., Перга В.М., Саливонов И.Н., Щиголь Е.Е. «Акустическая эмиссия и эффекты памяти в кристаллах TlGaSe₂» Физика твердого тела, 34, № 1, с. 115-118 (1992)

Обнаружено, что в TlGaSe₂ ранее известные фазовые переходы (ФП) при температурах 103, 110, 119 и 246 K сопровождаются излучением импульсов акустической эмиссии (АЭ). Зарегистрирован эффект "термоподавления" АЭ вблизи двух из четырех ФП, заключающийся в полном исчезновении при повторном термоциклировании обнаруженных вблизи 103 и 246 K максимумов интенсивности АЭ. Определено время, необходимое кристаллу TlGaSe₂ для восстановления его исходных свойств при комнатной температуре. Показано, что путем выбора соответствующего диапазона температур цикла "охлаждение–нагрев" можно добиваться полного подавления АЭ вблизи любого из двух указанных ФП как при наличии, так и при отсутствии второго. Обнаруженный эффект связывается с особенностями образования в TlGaSe₂ несоразмерной модулированной структуры.

Копасов А.П. «Влияние акустической волны на поверхностный импеданс проводника и генерация комбинационных гармоник» Физика твердого тела, 34, № 1, с. 140-144 (1992)

Рассматривается отражение электромагнитной волны частоты ω₁ от проводника, в котором возбужден продольный звук частоты ω₂ с вектором смещения, нормальным к поверхности, при аномальном скин-эффекте. Если ω₂ 2ω₁ , то акустическая волна вызывает появление нелинейной поправки к электромагнитному поверхностному импедансу Δζ_NL, квадратичной по амплитуде звука, причем Δζ_NL(ω₁)=Δζ^c_NL(ω₁)+Δζ^h_NL(ω₁), где Δζ^c_NL(ω₁) – вклад, обусловленный нелинейным откликом электронной системы, квадратичным по амплитуде акустической волны и линейным по амплитуде электромагнитной; Δζ^h_NL(ω₁) – вклад, связанный о генерацией комбинационных гармоник. Его появление объясняется следующим образом. Электромагнитная волна и звук генерируют электромагнитное излучение комбинационных частот ω±ω₂, которое, смешиваясь со звуком частоты ω₂, дает дополнительное излучение на частоте ω₁, что эквивалентно некоторому изменению импеданса. В настоящей работе получено выражение для Δζ^h_NL. Показано, что вклад Δζ^h_NL не является малым по сравнению с Δζ^c_NL (выражение для Δζ^c_NL было получено ранее в ФНТ, 1987, т. 13, №3, 325-328). Изменение импеданса, вызванное акустической волной, может быть использовано для бесконтактной регистрации неизлучающего звука. Приведенные в работе оценки показывают, что данный метод позволяет регистрировать звук весьма малой интенсивности в диапазоне частот 1 ГГц.

Воробьев В.В., Локшин Е.П., Чарная Е.В. «Акустические свойства и электропроводность кристаллов α-LiIO₃, выращенных при специальных условиях» Физика твердого тела, 34, № 3, с. 894-897 (1992)

Проведены исследования высокочастотной электропроводности и акустических свойств в кристалле α-LiIO₃, промышленно выращиваемом из раствора с pH=6.2, методом дифракции Брэгга света на ультразвуке. Определены параметры локального ионопереноса.

Алиев А.Э., Валетов Р.Р. «Акустическая эмиссия в ионном проводнике Li₂B₄O₇» Физика твердого тела, 34, № 10, с. 3061-3065 (1992)

Приводятся результаты измерения сигналов акустической эмиссии, скорости и поглощения звука на низких частотах (f=100/500 кГц) в пиро- и пьезоактивном ионном проводнике Li₂B₄O₇. Аномалии ряда физических параметров, наблюдаемые при термоциклировании в области 100–250 K, связываются с электрическими пробоями в кристалле. Наличие слабосвязанных зарядов (катионы лития) и высокая пироактивность кристалла приводят к сильной зависимости исследуемых параметров от предыстории образца.

Островский И.В., Сайко С.В. «Спектроскопия поверхностных состояний в GaAs посредством акустоэлектрического эффекта» Физика твердого тела, 35, № 4, с. 1043-1050 (1993)

Исследованы поверхностные уровни в гетероструктуре i–GaAs-эпитаксиальный слой GaAs посредством поперечного акустоэлектрического эффекта в слоистой системе LiNbO₃–GaAs. Определены эффективная глубина залегания и эффективное сечение захвата электронов поверхностными состояниями. Проведен теоретический анализ релаксации ''ловушечной'' составляющей поперечного акустоэлектрического напряжения. Показано, что при определенных условиях подзона поверхностных уровней может быть заменена одним эффективным энергетическим состоянием.

Гончарова В.А., Чернышева Е.В. «Ультразвуковое исследование фазового превращения полупроводник–металл в моно- и поликристаллическом антимониде индия» Физика твердого тела, 36, № 9, с. 2539-2547 (1994)

Импульсным ультразвуковым методом в условиях гидростатического давления до 6 GPa при комнатной температуре измерены скорости распространения продольных и поперечных упругих волн на моно- и поликристаллических образцах антимонида индия n-типа. Рассчитаны зависимости от давления плотности, упругих постоянных, дебаевской температуры для полупроводниковой I и металлической IV фаз InSb. Уменьшение сдвиговой упругой постоянной (c₁₁–c₁₂)/2, наблюдаемое при сжатии полупроводниковой фазы вплоть до начала фазового превращения полупроводник–металл (ФП П–М), является общей особенностью упругого поведения тетраэдрических полупроводников под действием давления. Исследование поликристаллических образцов антимонида индия ультразвуковым методом впервые позволило определить его упругие свойства при ФП П–М и для металлической фазы InSb IV в зависимости от давления. Резкое уменьшение модуля сдвига G при фазовом переходе согласуется с отрицательным наклоном p–T фазовой границы InSb I–InSb IV.

Борковская Л.В., Джумаев Б.Р., Дроздова И.А., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Сингаевский А.Ф., Шейнкман М.К. «Безактивационное движение доноров под действием ультразвука в кристаллах CdS» Физика твердого тела, 37, № 9, с. 2745-2748 (1995)

Впервые обнаружен безактивационный процесс собирания доноров на стоки в кристаллах CdS под действием импульсного ультразвука, протекающий за время 10^–5 s как при 300, так и при 77 K. Восстановление исходного состояния происходит в течение суток с энергией активации диффузии доноров.

Рысаков В.М. «Акустоэлектрический домен в пьезополупроводниках: зарождение и свойства» Физика твердого тела, 39, № 5, с. 835-838 (1997)

Предлагается модель возникновения и развития акустоэлектрического домена в пьезополупроводниках при развитии акустической неустойчивости. Модель не только качественно объясняет все основные нетривиальные особенности развития домена, но и позволяет количественно оценить его параметры: амплитуду и длительность. Результаты оценок близки к экспериментальным данным, что свидетельствует о правильности модели.

Гохфельд В.М., Кириченко О.В., Песчанский В.Г. «Акустоэлектронные явления в слоистых проводниках» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 108, № 6, с. 2147-2162 (1995)

Сапожников О.А., Смагин М.А. «Нахождение дисперсионных зависимостей для волн лэмбовского типа в вогнутой пьезоэлектрической пластине посредством оптической визуализации излучаемого в жидкость ультразвукового поля» Акустический журнал, 61, № 2, с. 199-207 (2015)

Предложен и экспериментально продемонстрирован способ измерения фазовых скоростей волн Лэмба в вогнутых пьезоэлектрических пластинах, погруженных в жидкость. Способ основан на оптическом теневом методе визуализации ультразвукового поля, возникающего в жидкости при возбуждении в исследуемой пластине мод Лэмба. Согласно условию волнового резонанса, направление распространения излучаемых в жидкость волн определяется величиной фазовой скорости волны Лэмба в пластине, что дает возможность измерить указанную скорость. Исходя из этого показано, что при использовании сферически вогнутых пьезопластин фазовые скорости волн Лэмба могут быть определены по положению каустик – областей фокусировки акустических волн в жидкости. Экспериментально измерены дисперсионные кривые нескольких мод Лэмба для вогнутой пьезокерамической пластины диаметром 100 мм и толщиной около 2 мм, погруженной в воду. Оптическая визуализация ультразвуковых волн в жидкости проводилась шлирен-методом на специально созданной установке, в которой для реализации метода темного поля были использованы внеосевые параболические зеркала. Показано, что измеренные дисперсионные кривые для низших мод Лэмба хорошо описываются теоретическими зависимостями, рассчитанными на основе уравнения Рэлея–Лэмба.

Муратиков К.Л., Глазов А.Л. «Теоретическое и экспериментальное исследование фотоакустического и электронно-акустического эффектов в твердых телах с внутренними напряжениями» Журнал технической физики, 70, № 8, с. 69-76 (2000)

Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования фотоакустического и электронно-акустического эффектов в твердых телах с внутренними напряжениями. В теоретической части разработан подход к описанию указанных эффектов на основе обобщенного представления термоупругой энергии твердого тела с внутренними напряжениями и нелинейной модели Мурнагана для упругой части его энергии. Приведены результаты исследования объектов с внутренними напряжениями в рамках комплексного экспериментального подхода, включающего использование методов оптической дефлекционной, термоволновой и фотоакустической микроскопии с пьезоэлектрическим способом регистрации сигнала. Показано, что подобный подход позволяет контролировать расположение деформированных областей поверхности объекта, а также оценивать степень влияния внутренних напряжений на его теплофизические и термоупругие параметры. Приведены результаты применения данного подхода к изучению зон вдавливания по Виккерсу в керамике нитрида кремния.

Зайцев Б.Д., Кузнецова И.Е., Джоши С.Г. «Аномальный резистоакустический эффект в структуре пьезоэлектрик–проводящая жидкость» Журнал технической физики, 71, № 6, с. 127-129 (2001)

Теоретически предсказано существование аномального резистоакустического эффекта при распространении поверхностной акустической волны Гуляева–Блюстейна в структуре пьезоэлектрик–проводящая жидкость. Обнаружено, что с ростом проводимости жидкости скорость волны увеличивается, достигает максимума, а затем уменьшается. Величина положительного изменения скорости волны растет с уменьшением диэлектрической проницаемости жидкости ε^lq и может достигать 6% для ниобата калия при ε^lq=2.5. Показано, что существует критическое значение локализации волны, при превышении которого аномальный резистоакустический эффект в такой структуре исчезает.

Андреев И.А. «Монокристаллы семейства лангасита – необычное сочетание свойств для применений в акустоэлектронике» Журнал технической физики, 76, № 6, с. 80-86 (2006)

Рассмотрены основные этапы развития акустоэлектроники и требования, предъявляемые к основе акустоэлектронных компонентов – высокодобротным и термостабильным пьезоэлектрическим монокристаллам с умеренной и сильной электромеханической связью. Показано, что с 1984 г. наиболее интенсивно развивается направление исследований акустических и пьезоэлектрических свойств монокристаллов сложных окислов – лангасита LGS, ланганита LGN и лангатата LGT, превосходящих по совокупности основных параметров все ранее известные кристаллы. Представлены материальные постоянные и основные характеристики монокристаллов семейства лангасита. Приведены основные этапы разработки акустоэлектронных устройств на этих кристаллах, начиная с разработки первых резонаторов LGS на продольных волнах частотой 128 KHz для канальных фильтров проводной телефонной связи в 1986 г. до разработки фильтров LGS на поверхностных волнах для мобильной телефонии нового стандарта W-CDMA, позволяющей передавать изображение в реальном времени.

Курилюк В.В., Коротченков О.А. «Управление процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с помощью пьезоэлектрических полей акустических колебаний» Журнал технической физики, 79, № 8, с. 146-149 (2009)

Контроль и управление транспортными и рекомбинационными процессами с участием носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах является важной задачей прикладной физики, актуальность которой связана как с необходимостью повышения эффективности работы существующих приборов опто- и наноэлектроники на их основе, так и с возможностью создания новых устройств. Изучается возможность управления процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs при помощи пьезоэлектрических полей, генерированных акустическими колебаниями. Исследования спектральных зависимостей конденсаторной фотоЭДС гетероструктур свидетельствуют, что при изменении пространственной конфигурации пьезоэлектрических полей, которая определяется частотой колебаний в структуре, возможна реализация управления процессами разделения носителей заряда как в плоскости квантовых ям, так и в перпендикулярном направлении.

Алейник А.Н., Афанасьев С.Г., Воробьев С.А., Забаев В.Н., Ильин С.И., Калинин Б.Н., Потылицын А.П. «Ориентационное акустическое излучение электронов в толстом кристалле кремния» Журнал технической физики, 59, № 2, с. 191-193 (1989)

Рудько В.Н. «Влияние ультразвука на излучение электронов при каналировании» Журнал технической физики, 59, № 10, с. 20-23 (1989)

Исследовано влияние поперечной ультразвуковой волны на спектр квазихарактеристического излучения каналированных электронов с энергиями E~<100 МэВ. Показано, что когда разность энергий двух уровней поперечного движения близка к величине c | q_|||, где q_|| – компонента волнового вектора ультразвуковой волны вдоль оси канала, происходит расщепление отдельных полос квазихарактеристического излучения. При усреднении интенсивности излучения по времени расщепление проявляется в уширении полос и сдвиге их максимумов в область низких частот. Использование амплитудно-модулированной стоячей волны приводит к временным колебаниям интенсивности излучения на выбранных частотах.

Акульшин В.Г., Дякин В.В., Лысенко В.Н., Родионов В.Е. «Влияние ультразвука на фотоэлектрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур» Журнал технической физики, 59, № 10, с. 156-158 (1989)

Анисимкин В.И., Котелянский И.М. «Пьезоэлектрические пленки для акустоэлектронных устройств: получение, свойства, области применения» Журнал технической физики, 60, № 6, с. 114-120 (1990)

Рассмотрены особенности получения пьезоэлектрических пленок ZnO, AlN и Ta₂O₅. Проведена теоретическая оценка минимально возможного коэффициента поглощения ПАВ в текстурированных пленках с учетом различных механизмов поглощения. Дано сравнение этих коэффициентов с аналогичными коэффициентами для монокристаллов тех же материалов. Предложены и экспериментально проверены методики расчета коэффициента поглощения и температурного коэффициента задержки (ТКЗ) для ПАВ Рэлея и ПАВ Сезава в слоистых структурах. Дан сравнительный анализ акустических характеристик слоистых структур на основе пленок ZnO, AlN и Ta₂O₅.

Вьюн В.А., Яковкин И.Б. «Особенности бистабильности акустоэлектронных явлений в слоистых структурах пьезослой–полупроводник» Журнал технической физики, 61, № 6, с. 157-159 (1991)

Кушнарев И.Н., Шарангович С.Н. «Акустоэлектрооптическое взаимодействие в кристаллах с электроиндуцированной неоднородностью» Журнал технической физики, 62, № 1, с. 171-186 (1992)

Рассмотрена задача о брэгговском акустоэлектрооптическом взаимодействии (АЭОВ) слаборасходящихся световых пучков в неоднородных электрическом и акустическом полях в пьезоэлектрических кристаллах. Получены самосогласованные решения уравнений связанных волн в замкнутой форме в виде суммы произведений парциальных передаточных функций линейно-неоднородных слоев. Приведены результаты численных расчетов передаточных функций АЭОВ для линейно-неоднородного электрического поля. Показана возможность комплексного улучшения передаточных и энергетических характеристик АЭОВ.

Розно А.Г. «Анализ электроакустических методов диагностики электрического поля и поляризации в объеме диэлектриков» Журнал технической физики, 63, № 3, с. 149-156 (1993)

Получены аналитические выражения, описывающие преобразование напряженности электрического поля и поляризации, неоднородно распределенных в объеме материала в электрический импульс с помощью акустических волн. Рассматривается связь параметров преобразования со свойствами диэлектрика.

Белый В.Н., Казак Н.С., Мащенко А.Г., Павленко В.К., Северин Ф.М. «Сканирование ультразвуковых пучков в сегнетокерамиках с помощью неоднородного электрического поля» Журнал технической физики, 65, № 1, с. 127-132 (1995)

Экспериментально исследовано явление управляемого сканирования ультразвуковых пучков в электрострикционной сегнетокерамике при воздействии неоднородного электрического поля специальной конфигурации. Реализован новый тип управляемого устройства для сканирования акустических пучков – электроакустический дефлектор.

Артеменко О.Л., Севрук Б.Б. «Параметрическое возбуждение акустических волн в полупроводниках с деформационной зависимостью диэлектрической проницаемости в поле электромагнитной волны» Журнал технической физики, 66, № 1, с. 159-164 (1996)

Исследовано параметрическое возбуждение поперечных гиперзвуковых волн в поле СВЧ электромагнитной волны в кубическом полупроводнике с деформационной зависимостью диэлектрической проницаемости с учетом особенностей электроиндуцированного пьезоэффекта. Методом связанных волн получено дисперсионное уравнение, описывающее процесс смешения частот при нелинейном взаимодействии акустической и плазменной волн. Путем численного анализа найдена частотная область растущей неустойчивости, соответствующей резонансному усилению акустической волны. Рассчитаны зависимости коэффициента усиления от угла между волновыми векторами акустической и электромагнитной волн, а также от напряженности поля и параметров плазмы полупроводника.

Парчинский П.Б., Власов С.И., Муминов Р.А., Исмаилов Х.Х., Тургунов У.Т. «Влияние ультразвука на параметры структур металл–диэлектрик–полупроводник» Письма в Журнал технической физики, 26, № 10, с. 40-45 (2000)

Приводятся результаты исследования влияния ультразвукового (УЗ) воздействия на структуры типа металл–окисел–полупроводник (МОП-структуры), предварительно облученные γ-квантами. Показано, что УЗ воздействие ведет к уменьшению радиационно-индуцированного заряда в диэлектрике исследуемых структур. Рассмотрен механизм УЗ стимулированной диффузии радиационных дефектов в поле упругих напряжений в слое диоксида кримния, приводящий к наблюдаемым эффектам.

Скворцов А.А., Орлов А.М., Насибов А.С., Литвиненко О.В. «Акустическая эмиссия в сульфиде кадмия при токовых и тепловых воздействиях» Письма в Журнал технической физики, 26, № 22, с. 36-43 (2000)

Исследована акустическая эмиссия (АЭ) в монокристаллах сульфида кадмия (CdS) при протекании электрического тока. Обнаружено, что в диапазоне исследованных температур T=(300–450) K в постоянном электрическом поле возбуждаются сигналы АЭ, интенсивность которых возрастает с увеличением плотности тока. Предполагается, что акустическая эмиссия в CdS обусловлена срывом и движением дислокаций под воздействием как постоянного электрического тока, так и термоупругих напряжений. Оценена энергия активации этого процесса E_а=0.35±0.5 eV при протекании постоянного тока плотностью j=(1–7)·10⁵ A/m².

Бородина И.А., Кузнецова И.Е., Зайцев Б.Д., Джоши С.Г. «Влияние освещенности на характеристики акустических волн в структуре пьезоэлектрическая пластина–фотопроводящий слой» Письма в Журнал технической физики, 28, № 1, с. 23-29 (2002)

Теоретически исследовано влияние света на характеристики волны с поперечно-горизонтальной поляризацией (SH₀), распространяющейся в структуре пьезоэлектрическая пластина (Y–X ниобат лития или Y–X ниобат калия) –фотопроводящий слой (сульфид кадмия) с толщинами h₁ и h₂ соответственно. Анализ показал, что чувствительность изучаемой структуры к свету в сильной степени зависит от значений толщин h1 и h2 и достигает максимальной величины при h₁=0.1λ и h₂=0.01λ (λ – длина волны). Например, в структуре на основе ниобата лития максимальное значение относительного изменения скорости составляет 16%, а затухания – 5 dB/λ при изменении освещенности от 0.1 до 10⁶ lx. Аналогичные данные для ниобата калия – 47% и 17 dB/λ. Полученные результаты показывают перспективность использования рассматриваемой структуры для разработки фотоприемников и измерителей светового излучения.

Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Турсункулов О.М. «Изменение коэффициента отражения излучения от поверхности полупроводников в спектральном диапазоне λ=0.2–20 μm под воздействием ультразвуковых волн» Письма в Журнал технической физики, 28, № 18, с. 1-12 (2002)

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн на спектральный коэффициент отражения излучения от поверхности полупроводников, используемых в солнечной энергетике. Проведено сравнение отражательных свойств полупроводников до и после ультразвукового воздействия. Показано, что акустостимуляционные процессы на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводника определяют условия коэффициента отражения.

Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н., Заверюхин Б.Н., Володарский В.В., Муминов Р.А. «Акустостимулированное расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности AlGaAs/GaAs-солнечных элементов» Письма в Журнал технической физики, 31, № 1, с. 54-66 (2005)

Исследуется влияние ультразвуковых волн на спектральную чувствительность AlGaAs/GaAs-солнечных элементов. Обнаружено, что облучение ультразвуковыми волнами варизонного Al_1–xGa_xAs-слоя, легированного цинком, приводит к формированию поверхностного слоя, чувствительного к электромагнитному излучению для длин волн λ<0.551 μm. Показано, что такой слой образуется в результате акустостимулированной диффузии цинка из слоя в глубь образца. Отмечается, что наблюдаемое расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности, увеличение эффективности собирания неравновесных носителей заряда в AlGaAs/GaAs-солнечных элементах связаны с улучшением дефектной структуры кристалла и перераспределением в ней атомов примеси под действием ультразвука.

Олих О.Я., Пинчук Т.Н. «Акустостимулированные коррекции вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых структур с контактом Шоттки» Письма в Журнал технической физики, 32, № 12, с. 22-27 (2006)

Приведены результаты экспериментального исследования влияния ультразвуковой обработки (УЗО) на вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодных структур Au-TiB_x-n-n⁺-GaAs. Обнаружено, что при мощности акустического нагружения меньше 2 W/cm² характер акустостимулированных изменений обратных ветвей ВАХ зависит от преобладающего механизма токопереноса. После УЗО с мощностью больше 2.5 W/cm² наблюдалось увеличение обратного тока на 1/2 порядка. Показано, что УЗО способствует существенному увеличению однородности характеристик структур, изготовленных по технологии с интегральным теплоотводом.

Олих Я.М., Тимочко Н.Д., Долголенко А.П. «Акустостимулированное преобразование радиационных дефектов в γ-облученных кристаллах кремния n-типа» Письма в Журнал технической физики, 32, № 13, с. 67-73 (2006)

Представлены результаты исследования влияния ультразвуковой (УЗ) обработки (f_US∼4/30 MHz, W_US∼0.1/2 W/cm²) на электрическую активность радиационных дефектов в γ-облученных (D=10⁸, 10⁹ rad) кристаллах n-Si с различным содержанием кислорода (∼10¹⁸ и <5·10¹⁵ cm^–3). Из анализа температурных (100–300 K) зависимостей холловских характеристик в предположении многоуровневой структуры центров определены их энергетическое положение и концентрации. Показано, что основными акустоактивными дефектами, изменяющими свойства материала при УЗ обработке, являются: в тигельных образцах – A-центры (E_c–0.20) eV и дивакансии (E_c-0.26) eV; в зонных образцах – дивакансии и/или комплексы P_s–C_i(E_c–0.23) eV.

Гуляев Ю.В., Марышев С.Н., Шевяхов Н.С. «Электрозвуковая волна в зазоре пьезоэлектрической пары с относительным продольным перемещением» Письма в Журнал технической физики, 32, № 20, с. 18-26 (2006)

Показана возможность существенного торможения щелевой электрозвуковой волны в структуре с тонким вакуумным зазором за счет встречного относительного перемещения пьезоэлектрических кристаллов.

Марышев С.Н., Шевяхов Н.С. «Туннелирование акустических волн зазором пары гексагональных пьезоэлектрических кристаллов с относительным продольным перемещением» Письма в Журнал технической физики, 33, № 9, с. 18-28 (2007)

Рассмотрено влияние относительного продольного перемещения пьезоэлектрических кристаллов, разделенных зазором, на рефракцию акустических волн.

Окулов В.И., Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В., Говоркова Т.Е., Паранчич С.Ю. «Взаимодействие ультразвука с электронами в гибридизированных состояниях на примесях железа в кристалле селенида ртути» Письма в Журнал технической физики, 33, № 19, с. 32-39 (2007)

Исследовано распространение поперечных ультразвуковых волн частотой 52 МГц в кристаллах HgSe : Fe при концентрации примесей железа 10¹⁹ см^–2, для которой в проводимости максимально проявляются изучавшиеся ранее эффекты резонансного рассеяния электронов. Обнаружены аномалии температурных зависимостей коэффициента поглощения α(T) и фазовой скорости v(T)поперечных волн в интервале T=1.48/80 K. Для медленной поперечной волны кривая α(T) имеет пик, а зависимость v(T) – минимум при температуре около 5 K. Наблюдаемые аномалии объяснены на основе теории взаимодействия ультразвука с электронами в гибридизированных состояниях на примесях железа.

Заверюхина Н.Н., Заверюхина Е.Б., Власов С.И., Заверюхин Б.Н. «Акустостимулированное изменение плотности и энергетического спектра поверхностных состояний в монокристаллах p-кремния» Письма в Журнал технической физики, 34, № 6, с. 36-42 (2008)

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн различной мощности на плотность N_SS и энергетический спектр поверхностных состояний в p-Si-монокристаллах. Обнаружено, что в зависимости от режима облучения ультразвуковыми волнами в p-Si-монокристаллах происходят уменьшение или увеличение величины N_SS по сравнению с необлученными монокристаллами. При этом происходит перераспределение интегрального заряда поверхностных состояний по ширине запрещенной зоны кремния. Наблюдаемый эффект связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь, носителем энергии, модифицирует дефектную подсистему приповерхностных слоев кристалла путем перераспределения атомов примеси и генерации новых дефектов в нем.

Сукач А.В., Тетеркин В.В. «Трансформация электрических свойств InAs p-n-переходов в результате ультразвуковой обработки» Письма в Журнал технической физики, 35, № 11, с. 67-75 (2009)

Исследовано влияние высокочастотной (f=5 МГц) ультразвуковой обработки (УЗО) на электрические свойства плавных InAs p-n-переходов при температуре T=77 K. Установлено, что наиболее чувствительной к УЗО является туннельная компонента тока, предположительно связанная с каналами повышенной проводимости, локализованными около дислокаций. Менее чувствительной к УЗО оказалась компонента тока, определяемая рекомбинацией носителей в области пространственного заряда (ОПЗ), свободной от дислокаций. Обнаружена тенденция к восстановлению электрических параметров p-n-переходов при длительном хранении образцов в лабораторных условиях. Обсуждаются возможные модели влияния УЗО на электрические характеристики InAs p-n-переходов.

Дежкунов Н.В. «Генерирование постоянной ЭДС под действием ультразвуковых колебаний» Письма в Журнал технической физики, 14, № 1, с. 68-72 (1988)

Гречнев В.В., Есепкина Н.А., Занданов В.Г., Качев Л.Е., Мансырев М.И., Молодяков С.А., Саенко И.И., Смольков Г.Я., Шипов П.М. «Исследование макета акустооптоэлектронного приемника на сибирском солнечном радиотелескопе» Письма в Журнал технической физики, 14, № 7, с. 581-585 (1988)

Аристов Ю.В., Рысаков В.М. «Особенности развития акустоэлектронной неустойчивости в тонком активном канале объемного пьезополупроводника» Письма в Журнал технической физики, 15, № 3, с. 47-50 (1989)

Василенко Н.Д., Гордиенко В.В., Корчная В.Л., Панков Ю.М., Семенова Г.Н., Хазан Л.С. «Влияние акустических колебаний на тензорезистивный эффект в пленках p-Ge» Письма в Журнал технической физики, 16, № 9, с. 32-36 (1990)

Рысаков В.М. «О скорости домена и абсолютной неустойчивости при акустоэлектронном взаимодействии в переходном режиме» Письма в Журнал технической физики, 16, № 13, с. 68-72 (1990)

Рысаков В.М., Стоцкий Ю.А. «Преобразование спектра акустического потока при развитии неустойчивости за счет акустоэлектронного взаимодействия в тонком активном канале в CdS» Письма в Журнал технической физики, 17, № 20, с. 10-12 (1991)

Вьюн В.А., Пнев В.В., Царев А.В., Яковкин И.Б. «Акустоэлектронное считывание фотоизображений» Письма в Журнал технической физики, 18, № 7, с. 34-36 (1992)

Анели Дж.Н. «Влияние ультразвука на электропроводность электропроводящих полимерных композитов» Письма в Журнал технической физики, 21, № 3, с. 24-29 (1995)

Соколов И.А., Куликов В.В., Петров М.П. «Широкополосная регистрация ультразвуковых фазомодулированных сигналов с помощью адаптивных фотоприемников на основе эффекта нестационарной фотоЭДС» Письма в Журнал технической физики, 21, № 9, с. 21-25 (1995)

Гримальский В.В., Ишкабулов К., Кошевая С.В. «Нелинейные акустоэлектрические волны в параэлектрических пластинах во внешнем электрическом поле» Письма в Журнал технической физики, 21, № 17, с. 85-88 (1995)

Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Прокопенко И.В., Громашевский В.Л. «Влияние ультразвуковой обработки на микропроцессы формирования барьеров Шоттки гетеросистем M–n–n⁺GaAs (M=Pt, Cr, W)» Письма в Журнал технической физики, 22, № 6, с. 33-36 (1996)

Преображенский М.Н., Репин В.Н., Козлов В.А., Костина Л.С. «Получение акустических изображений внутренних слоев полупроводниковых структур на высоких частотах» Письма в Журнал технической физики, 22, № 9, с. 45-50 (1996)

Боритко С.В., Григорьевский В.И., Кмита А.М., Нисафи А.М. «Конвольвер на поверхностных акустических волнах на базе встречно-штыревых преобразователей с емкостным взвешиванием электродов» Письма в Журнал технической физики, 22, № 19, с. 24-28 (1996)

Вьюн В.А. «Динамический хаос в акустоэлектронных системах» Письма в Журнал технической физики, 23, № 10, с. 81-85 (1997)

Сообщается об экспериментальном наблюдении и исследовании динамического хаоса в акустоэлектронных системах. Для исследований выбран известный в физической акустике и акустоэлектронике объект, в котором обнаружены отмеченные выше его новые нелинейные свойства. Работа дополняет возможности экспериментального моделирования стохастических автоколебаний.

Гуляев Ю.В., Кузнецова И.Е., Зайцев Б.Д., Джоши С.Г., Бородина И.А. «Влияние тонкого слоя с произвольной проводимостью на характеристики акустических волн в ниобате калия» Письма в Журнал технической физики, 25, № 8, с. 21-26 (1999)

Теоретически исследовано влияние тонкого слоя произвольной проводимости на характерстики акустических волн в ниобате калия. Показано, что проводимость тонкого слоя на поверхности кристалла или пластины ниобата калия существенно влияет на затухание и скорость как симметричных волн Лэмба и квазипоперечных волн, так и волн Гуляева–Блюстейна. Обнаружено, что путем изменения поверхностной проводимости можно добиться относительного изменения скорости до 50% для квазипоперечных волн. Полученные результаты позволяют сделать вывод о значительной перспективности ниобата калия для создания акустоэлектронных устройств с управляемыми характеристиками.

Орлов А.М., Скворцов А.А., Фролов В.А. «Изменение спектра акустической эмиссии дислокационного кремния при токовых и тепловых воздействиях» Письма в Журнал технической физики, 25, № 21, с. 52-58 (1999)

Исследовано изменение спектров акустической эмиссии дислокационного кремния при токовых и тепловых воздействиях. Объяснено и в рамках модели резких перегибов описано смещение частоты максимума спектра акустической эмиссии. Оценены константа торможения, скорость и подвижность дислокаций.