Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

06.14 Акустоэлектроника

 

Хромова И.А., Мельников Л.А. «Запрещенные зоны и дисперсионные характеристики мод в фотонно-кристаллических волокнах с жидко-кристаллическим заполнением» Труды школы-семинара “Волны-2006”. Секция 3. "Когерентная, нелинейная и волоконная оптика", с. 20-22 (2006)

Работа посвящена исследованию свойств фотонно-кристаллических волноводов с жидко-кристаллическим заполнением (ЖКФКВ), управление свойствами которых осуществляется за счет внешнего электрического поля, вызывающего переориентацию директоров молекул жидких кристаллов. Несмотря на перспективность использования фотонных кристаллов, заполненных жидкими кристаллами, к настоящему времени на базе таких структур созданы лишь работающие в достаточно медленном режиме переменные оптические аттенюаторы и фильтры. В настоящее время последовательный теоретический подход к вопросу о распространении электромагнитного излучения в подобных анизотропных волноведущих фотонно-кристаллических средах отсутствует, что затрудняет проектирование структур и их практическую реализацию. Данное исследование направлено на построение теории собственных волн в анизотропных фотонно-кристаллических волноводах, в том числе ЖКФКВ. В работе излагается векторная теория для анизотропных фотонно-кристаллических волноводов с произвольными геометрическими и материальными свойствами. В работе исследуются фотонно-кристаллические волокна, воздушные элементы оболочки в которых заполнены жидкими кристаллами, что позволяет добиться управляемой анизотропии материала. В различных типах жидких кристаллов (смектик, нематик, холестерик и др.) при различных условиях ориентация молекул может быть гомеотропной или же изменяться от точки к точке. Рассматриваются оба случая.

Труды школы-семинара “Волны-2006”. Секция 3. "Когерентная, нелинейная и волоконная оптика", с. 20-22 (2006) | Рубрики: 06.02 06.14

 

Колесов В.В., Кузнецова И.Е., Солдатов Е.С., Дагесян С.А., Мельников А.Е., Анисимкин В.И., Кашин В.В. «Разработка нанобиосенсоров на основе акустоэлектронных технологий» Ученые записки физического факультета МГУ, № 5, http://uzmu.phys.msu.ru/toc/2017/5 (2017)

Использование методов акустоэлектроники и интеграция нанобиосенсоров с акустическими линиями задержки в рамках планарных технологий дают возможность создания акустобионаноэлектронных датчиков с повышенной чувствительностью и селективностью. В работе разработан акустоэлектрический чип-сенсор на основе монокристаллической пластины ниобата лития толщиной 0.35 мм с системой встречно-штыревых преобразователей (ВШП) для возбуждения соответствующей акустической волны, который вставляется в чип-холдер со стандартным разъемом ножевого типа. Для создания планарной наноструктуры наноэлектронного трансдьюсера использовалась технология стандартной фотолитографии, различных фоторезистов и реактивного ионного травления и магнетронного напыления. Область размером 80×80 микрон в центре чипа служила для формирования электронной наноструктуры, которая является прообразом наноэлектронного трансдьюсера. В полученных наноструктурах могут быть сформированы нанозазоры для иммобилизации молекул белков-ферментов и создании селективных молекулярных биосенсоров.

Ученые записки физического факультета МГУ, № 5, http://uzmu.phys.msu.ru/toc/2017/5 (2017) | Рубрики: 06.11 06.14

 

Вашурин Н.С., Попов И.И. «Особенности эхо-спектроскопии тонких поликристаллических полупроводниковых пленок» Труды школы-семинара “Волны-2015”. Секция “Спектроскопия, диагностика и томография”, с. 18-20 (2015)

Сообщается об экспериментальных исследованиях методом оптической спектроскопии на основе фотонного эха, формировавшегося при двухфотонном возбуждении, экситонных переходов в тонких поликристаллических пленках. Изучаемые в работе спектральные линии полупроводниковых тонких пленок представляют большой практический интерес с позиции изучения высоких концентраций собственных дефектов, возникающих при определенных методах роста этих пленок.

Труды школы-семинара “Волны-2015”. Секция “Спектроскопия, диагностика и томография”, с. 18-20 (2015) | Рубрика: 06.14

 

Кошелев О.Г. «О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p+-n(p)-n+ типа из-за токов по слоям p+ и n+ типа» Труды школы-семинара “Волны-2016”. Секция “Спектроскопия и томография”, с. 38-40 (2016). 66 с.

В последние годы существенно возросло производство фотопреобразователей солнечной энергии. Это связано с значительным ростом энергопотребления и уменьшением запасов традиционных ископаемых энергоресурсов, а также с глобальными экологическими проблемами из-за потепления климата. В качестве материала для изготовления солнечных элементов (СЭ) чаще всего используется кремний. В настоящее время их доля составляет свыше 90%. КПД такого СЭ (его основного параметра) определяется прежде всего фоточувствительностью пластины кремния, из которой он изготавливается. Наличие участков пластины с низкой фоточувствительностью приводит к заметному снижению КПД. Поэтому на производстве осуществляется контроль их однородности, т.е. измерения контраста фотопроводимости по площади пластины. Для такого контроля широко используется так называемый μ-PCD (microwave photoconductive decay) метод. Этот бесконтактный метод основан на измерении времени спада фотопроводимости после её возбуждения импульсом света. Измерение производится по глубине модуляции СВЧ волны, которая отражается от исследуемой пластины или проходит через неё. Разрешающая способность такого метода определяется площадью наименьшей из областей – освещаемой или зондируемой СВЧ волной. Цель настоящей работы – детальнее рассмотреть, насколько измеряемый СВЧ методом контраст фотопроводимости может отличаться от истинного в зависимости от параметров исследуемой структуры.

Труды школы-семинара “Волны-2016”. Секция “Спектроскопия и томография”, с. 38-40 (2016). 66 с. | Рубрика: 06.14

 

Кошелев О.Г., Васильев Н.Г. «О локальном определении скоростей рекомбинации неравновесных носителей заряда бесконтактным методом в объеме и на тыльной стороне пластин кремния с p-n переходами» Труды школы-семинара “Волны-2016”. Секция “Спектроскопия и томография”, с. 44-45 (2016). 66 с.

Цель работы – рассмотреть для кремниевых структур p+nn+(n+рp+) типа возможность раздельного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в базовой области и скорости рекомбинации на её тыльной стороне путем бесконтактных измерений.

Труды школы-семинара “Волны-2016”. Секция “Спектроскопия и томография”, с. 44-45 (2016). 66 с. | Рубрика: 06.14

 

Бородина И.А., Зайцев Б.Д., Теплых А.А. «Влияние жидкости с различной проводимостью, вязкостью и диэлектрической проницаемостью на характеристики щелевой моды в акустической линии задержки» II Всероссийская акустическая конференция, совмещенная с XXX сессией Российского акустического общества. Нижний Новгород, 6–9 июня 2017 г. Программа и аннотации докладов, с. 82-83 (2017)

Экспериментально исследовано влияние жидкости с различной проводимостью, диэлектрической проницаемостью и вязкостью на характеристики щелевой моды в структуре, состоящей из линии задержки с поперечно-горизонтальной волной и верхней пластины, разделенных воздушным зазором. Линия задержки была выполнена из Y-X ниобата лития, верхняя пластина – из Z-X ниобата лития. Возбуждение щелевой моды приводило к острым резонансным пикам на частотных зависимостях полных потерь и фазы выходного сигнала линии задержки. Установлено, что глубина и частота этих пиков зависят от указанных параметров жидкости, контактирующей с верхней пластиной. Показана возможность использования щелевой моды в исследуемой структуре для идентификации жидкостей с различными значениями проводимости, вязкости и диэлектрической проницаемости.

II Всероссийская акустическая конференция, совмещенная с XXX сессией Российского акустического общества. Нижний Новгород, 6–9 июня 2017 г. Программа и аннотации докладов, с. 82-83 (2017) | Рубрика: 06.14

 

Анисимкин В.И., Дагесян С.А., Колесов В.И., Кузнецова И.Е., Мельников А.Е., Солдатов Е.С. «Разработка нанобиосенсоров на основе акустоэлектронных технологий» II Всероссийская акустическая конференция, совмещенная с XXX сессией Российского акустического общества. Нижний Новгород, 6–9 июня 2017 г. Программа и аннотации докладов, с. 83 (2017)

Использование методов акустоэлектроники и интеграция нанобиосенсоров с акустическими линиями задержки в рамках планарных технологий дают возможность создания акустобионаноэлектронных датчиков с повышенной чувствительностью и селективностью. В работе разработан акустоэлектрический чип-сенсор на основе монокристаллической пластины ниобата лития толщиной 0.35 мм с системой встречноштыревых преобразователей (ВШП) для возбуждения соответствующей акустической волны, который вставляется в чип-холдер со стандартным разъемом ножевого типа. Для создания планарной наноструктуры наноэлектронного трансдьюсера использовалась технология стандартной фотолитографии, различных фоторезистов и реактивного ионного травления и магнетронного напыления. Область размером 80×80 микрон в центре чипа служила для формирования электронной наноструктуры, которая является прообразом наноэлектронного трансдьюсера. В полученных наноструктурах могут быть сформированы нанозазоры для иммобилизации молекул белков-ферментов и создании селективных молекулярных биосенсоров.

II Всероссийская акустическая конференция, совмещенная с XXX сессией Российского акустического общества. Нижний Новгород, 6–9 июня 2017 г. Программа и аннотации докладов, с. 83 (2017) | Рубрика: 06.14

 

Кулакова Л.А., Аверкиев Н.С., Лютецкий А.В. «Акустоэлектронные эфеекты в наноразмерных гетеролазерах» II Всероссийская акустическая конференция, совмещенная с XXX сессией Российского акустического общества. Нижний Новгород, 6–9 июня 2017 г. Программа и аннотации докладов, с. 84 (2017)

Экспериментально и теоретически изучено воздействие вводимых извне переменных деформаций на поляризационные свойства излучения In28Ga72As/GaAs лазера на квантовой яме. Проведён анализ поляризационных эффектов при различных превышениях рабочего тока над пороговой его величиной.

II Всероссийская акустическая конференция, совмещенная с XXX сессией Российского акустического общества. Нижний Новгород, 6–9 июня 2017 г. Программа и аннотации докладов, с. 84 (2017) | Рубрики: 06.14 06.17

 

Жукова М.О., Перлин Е.Ю. «Поглощение света свободными электронами в полупроводниках. II. Процессы с участием акустических фононов» Оптический журнал, 84, № 10, с. 3-6 (2017)

Для произвольных концентраций свободных электронов рассчитан коэффициент поглощения света на внутризонных переходах с участием акустических фононов. Получены частотные и температурные зависимости коэффициента поглощения света для кристалла ZnTe.

Оптический журнал, 84, № 10, с. 3-6 (2017) | Рубрики: 06.14 06.17