Босов С.И. 3-D моделирование тонкопленочных акустоэлектронных СВЧ резонаторов на основе нитрида алюминия (2014)

С помощью численного расчета получены основные параметры СВЧ тонкопленочных акустоэлектронных резонаторов, работающих в гигагерцевом диапазоне частот, включая СВЧ тонкопленочные одночастотные акустоэлектронные резонаторы мембранного типа и СВЧ тонкопленочные акустоэлектронные резонаторы с акустическим отражателем. Численным и натурным экспериментом показано, что асимметричный акустический отражатель в SMR-BAW-резонаторе эффективно отражает сдвиговые колебания, существующие в структуре, по сравнению с акустическим отражателем брэгговского типа, что приводит к увеличению максим. добротности резонатора

Каламейцев А.В. Акустоэлектронное взаимодействие и релаксация неравновесных носителей заряда в двумерных системах (2008)

Разработан гидродинамический подход для исследования взаимодействия поверхностных акустических волн с двумерными электронными системами. Исследовано взаимодействие ПАВ с двумерным электронным газом и с неравновесной двумерной электрон-дырочной плазмой. Дан анализ условий формирования динамических квантовых проволок в двумерном электронном газе полем ПАВ и влияния квантования на ее поглощение. Теоретически исследованы динамические квантовые точки в присутствии скрещенных ПАВ и их влияние на поглощение ПАВ. Обсуждается релаксация неравновесных носителей в двумерных системах

Ковалев В.М. Взаимодействие элементарных возбуждений полупроводниковых наноструктур с акустическими и электромагнитными полями (2017)

На примере взаимодействия экситонного газа с полем звуковой волны построена теория линейного (поглощение звука) и квадратичного (эффект увлечения экситонного газа звуковым полем) откликов. Разработан метод теоретического описания кинетических эффектов в бозе-конденсированной системе, который применим к элекродинамическим воздействиям на экситонный газ, к бозе-конденсатам экситонных поляритонов и для описания кинетических эффектов в атомарных конденсатах. Выполнено построение теории экранирования статических возмущений в бозе-конденсатах.

Пушкарев А.И. Газофазные плазмохимические процессы, инициируемые импульсным электронным пучком (2007)

При воздействии импульсного электронного пучка с параметрами: энергия электронов 450–500 кэВ, плотность тока пучка 0,2–0,4 кА/см², длительность импульса 60 нс, происходит смещение предела воспламенения стехиометрической кислородно-водородной смеси с 673 до 300 К и снижение периода индукции с 100–200 мс до 2–3 мс. Установлен колебательный характер процесса окисления водорода 99,5% водорода. Разработан новый метод синтеза нанодисперсных оксидов металлов (а также композиционных) при воздействии импульсного электронного пучка на газофазную смесь кислорода, водорода и галогенида металла, отличающийся низкими энергозатратами и низкой температурой синтеза частиц с кристаллич. структурой. Синтез оксидов реализуется в цепном плазмохимич. процессе. Предложен акустич. метод измерения степени конверсии газофазных соединений, предназначенный для селективного контроля фазового перехода. В реакции пиролиза разработанный метод позволяет с точностью до 0,1% определять степень разложения метана на водород и углерод. Измерение частоты акустич. волн проводится с помощью пьезодатчика, время измерения и обработки сигнала не превышает 0,2 с. Установлено снижение амплитуды предимпульса с 45 кВ до 10–15 кВ (при амплитуде основного импульса 450–500 кВ) при принудительном размагничивании сердечника автотрансформатора электронного ускорителя в течение зарядки двойной формирующей линии. Обеспечен ресурс работы более 10⁴ импульсов при выводе электронного пучка с плотностью тока 0,2–0,4 кА/см² и импульсной мощностью 2–3 ГВт из области генерации в плазмохимический реактор при эффективности преобразования энергии, подводимой к диоду, в кинетич. энергию электронов более 90%.

Чаплыгин А.Н. Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов (2007)

Определен механизм влияния нарушенного слоя в зависимости от его толщины и структуры на процессы пространственного распределения зарядов в кристалле силленита (I), путем исследования изменения локальных участков кинетической кривой фототока. На основе зонной теории и системы уравнений непрерывности получены аналитическая и зонная модели процессов пространственного распределения зарядов в I, учитывающие физико-химические особенности поверхности с нарушенным слоем. Разработаны методики формирования и модифицирования приповерхностных областей кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов. Показана возможность расширения частотного диапазона кристаллов силленитов с модифицированными приповерхностными областями до частот звукового диапазона (до 18 кГц) и повышения на порядок энергетической чувствительности для создания преобразователей акустических сигналов.