Малыгин Г.А., Огарков С.Л., Андрияш А.В. «Двойная структура волн пластической релаксации при нагружении кристаллов интенсивным ударом» Физика твердого тела, 55, № 11, с. 2168-2175 (2013)

На основе дислокационно-кинетических уравнений и соотношений теоретически рассматривается механизм возникновения двойной структуры волн пластической релаксации при напряжениях в ударной волне σ>1 GPa (скоростях пластической деформации ~.ε>10⁶ s^–1). Показано, что при интенсивном ударе в кристалле возникают две волны пластической релаксации. Вначале формируется первая волна (по традиционной терминологии – упругий предвестник), связанная с генерацией геометрически необходимых (ГН) дислокаций на границе сжатой и еще не сжатой частей кристалла. Затем образуется вторая волна, связанная с размножением дислокаций на ГН-дислокациях первой волны как на дислокациях леса. В результате решения релаксационных уравнений определены зависимости напряжений от скорости пластической деформации: σ∼~.ε ^1/4 в первой волне и σ∼~.ε ^2/5 во второй, а также зависимости напряжений от толщины мишени D: σ∼ D^–1/3 и σ∼ D^–2/3 соответственно. Найденные соотношения подтверждаются имеющимися в литературе экспериментальными данными.