Пащенко В.П. «Управляемый фононный кристалл на поверхностных акустических волнах на основе индуцированных периодических доменных структур» Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки, № 177, с. 55-59 (2013)
Предложен новый тип фононного кристалла, управляемого путем индуцирования внешним постоянным электрическим полем периодических доменных структур в тонкой сегнетоэлектрической пленке. Представлены результаты конечно-элементного моделирования частотной зависимости коэффициента прохождения, а также дисперсионные кривые для первой зоны Бриллюэна. Показано изменение ширины запрещенной зоны этого фононного кристалла при изменении электрического поля, индуцируещего пьезоэлектрические периодические доменные структуры в сегнетоэлектрической пленке.
Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки, № 177, с. 55-59 (2013) | Рубрика: 06.13