Власов С.И., Овсянников А.В., Заверюхин Б.Н. «Влияние ультразвуковой обработки на генерационные характеристики границы раздела полупроводник-стекло» Письма в Журнал технической физики, 36, № 7, с. 41-45 (2009)

Показана возможность определения временной зависимости скорости поверхностной генерации носителей заряда по кинетике релаксации емкости структур металл–стекло–полупроводник. Установлено, что ультразвуковая обработка границ раздела полупроводник-стекло приводит к изменению временной зависимости, уменьшая абсолютное значение скорости поверхностной генерации.

Вилков Е.А., Марышев С.Н., Шевяхов Н.С. «Электрозвуковые волны решетки движущихся доменных границ сегнетоэлектрического кристалла» Письма в Журнал технической физики, 36, № 7, с. 70-79 (2009)

Рассмотрены дисперсионные свойства мод электрозвуковых волн, удерживаемых сверхрешеткой равномерно движущихся 180° доменных границ в тетрагональном сегнетоэлектрическом кристалле. Показано, что множество мод парциальных электрозвуковых граничных волн решетки ограничено первой разрешенной зоной, конфигурация которой в плоскости спектральных переменных может существенно изменяться под влиянием движения доменных границ. Для парциальных электрозвуковых граничных волн с блоховскими волновыми числами χ≠π/d (d – полупериод решетки) предсказывается расщепление мод статичной сверхрешетки движением доменных границ на пары, инвариантное к обращению направления движения.