Мансфельд Г.Д. «Селекция мод пьезоэлектрического слоя в составном акустическом резонаторе на объемных акустических волнах» Письма в Журнал технической физики, 23, № 19, с. 35-41 (1997)

Рассмотрен вопрос о селекции мод тонкого пьезоэлектрического слоя в составном слоистом акустическом резонаторе на объемных акустических волнах за счет трансформации импеданса с помощью набора четвертьволновых слоев. В зависимости от числа слоев возможно как резкое повышение, так и резкое уменьшение импеданса подложки, на которую наносится пьезоэлектрический слой. Таким образом достигается имитация "закрепленной" или "свободной" поверхности. В результате реализуется механически прочная резонаторная структура, работающая на собственных частотах тонкого пьезоэлектрического слоя. Проведено численное моделирование многослойных структур на основе чередующихся четвертьволновых слоев LiNbO₃ и LiTaO₃. Показано, что при микронных толщинах слоев и достаточно большом их числе акустические свойства подложки не влияют на частотные характеристики и добротность колеблющегося тонкого пьезоэлектрического слоя в СВЧ диапазоне.