Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Турсункулов О.М. «Изменение коэффициента отражения излучения от поверхности полупроводников в спектральном диапазоне λ=0.2–20 μm под воздействием ультразвуковых волн» Письма в Журнал технической физики, 28, № 18, с. 1-12 (2002)

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн на спектральный коэффициент отражения излучения от поверхности полупроводников, используемых в солнечной энергетике. Проведено сравнение отражательных свойств полупроводников до и после ультразвукового воздействия. Показано, что акустостимуляционные процессы на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводника определяют условия коэффициента отражения.