Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г., Щукина О.Ю. «Влияние ультразвукового воздействия на генерационные характеристики границы раздела кремний–диоксид кремния» Письма в Журнал технической физики, 29, № 9, с. 83-88 (2003)

Исследовано влияние ультразвукового воздействия на генерационные характеристики границы раздела кремний–диоксид кремния, полученной при термическом окислении поверхности кремния. Показано, что ультразвуковое воздействие приводит к уменьшению скорости поверхностной генерации и увеличению генерационного времени жизни неосновных носителей заряда. Обнаруженные эффекты связаны с перестройкой дефектной структуры переходного слоя на границе раздела Si–SiO₂ и прилегающей к ней области Si.