Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н., Заверюхин Б.Н., Володарский В.В., Муминов Р.А. «Акустостимулированное расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности AlGaAs/GaAs-солнечных элементов» Письма в Журнал технической физики, 31, № 1, с. 54-66 (2005)

Исследуется влияние ультразвуковых волн на спектральную чувствительность AlGaAs/GaAs-солнечных элементов. Обнаружено, что облучение ультразвуковыми волнами варизонного Al_1–xGa_xAs-слоя, легированного цинком, приводит к формированию поверхностного слоя, чувствительного к электромагнитному излучению для длин волн λ<0.551 μm. Показано, что такой слой образуется в результате акустостимулированной диффузии цинка из слоя в глубь образца. Отмечается, что наблюдаемое расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности, увеличение эффективности собирания неравновесных носителей заряда в AlGaAs/GaAs-солнечных элементах связаны с улучшением дефектной структуры кристалла и перераспределением в ней атомов примеси под действием ультразвука.