Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

Письма в Журнал технической физики. 2006. 32, № 12

 

Олих О.Я., Пинчук Т.Н. «Акустостимулированные коррекции вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых структур с контактом Шоттки» Письма в Журнал технической физики, 32, № 12, с. 22-27 (2006)

Приведены результаты экспериментального исследования влияния ультразвуковой обработки (УЗО) на вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодных структур Au-TiBx-n-n+-GaAs. Обнаружено, что при мощности акустического нагружения меньше 2 W/cm2 характер акустостимулированных изменений обратных ветвей ВАХ зависит от преобладающего механизма токопереноса. После УЗО с мощностью больше 2.5 W/cm2 наблюдалось увеличение обратного тока на 1/2 порядка. Показано, что УЗО способствует существенному увеличению однородности характеристик структур, изготовленных по технологии с интегральным теплоотводом.

Письма в Журнал технической физики, 32, № 12, с. 22-27 (2006) | Рубрика: 06.14