Заверюхина Н.Н., Заверюхина Е.Б., Заверюхин Б.Н. «Акустостимулированное изменение коэффициента поглощения арсенида галлия в диапазоне длин волн λ=0.81/1.77 μm» Письма в Журнал технической физики, 33, № 9, с. 1-10 (2007)

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн на спектральный коэффициент поглощения арсенида галлия. Обнаружено, что облучение ультразвуковыми волнами GaAs-монокристаллов приводит к изменению коэффициентов поглощения электромагнитного излучения последних. Наблюдаемый эффект такого изменения коэффициента поглощения связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь носителем энергии, модифицирует дефектную систему кристалла и производит перераспределение атомов примеси в нем. Взаимодействие фотонов с акустогенерированными дефектами и приводит к изменению коэффициентов поглощения вблизи края фундаментальной полосы арсенида галлия.

Марышев С.Н., Шевяхов Н.С. «Туннелирование акустических волн зазором пары гексагональных пьезоэлектрических кристаллов с относительным продольным перемещением» Письма в Журнал технической физики, 33, № 9, с. 18-28 (2007)

Рассмотрено влияние относительного продольного перемещения пьезоэлектрических кристаллов, разделенных зазором, на рефракцию акустических волн.