Сукач А.В., Тетеркин В.В. «Трансформация электрических свойств InAs p-n-переходов в результате ультразвуковой обработки» Письма в Журнал технической физики, 35, № 11, с. 67-75 (2009)

Исследовано влияние высокочастотной (f=5 МГц) ультразвуковой обработки (УЗО) на электрические свойства плавных InAs p-n-переходов при температуре T=77 K. Установлено, что наиболее чувствительной к УЗО является туннельная компонента тока, предположительно связанная с каналами повышенной проводимости, локализованными около дислокаций. Менее чувствительной к УЗО оказалась компонента тока, определяемая рекомбинацией носителей в области пространственного заряда (ОПЗ), свободной от дислокаций. Обнаружена тенденция к восстановлению электрических параметров p-n-переходов при длительном хранении образцов в лабораторных условиях. Обсуждаются возможные модели влияния УЗО на электрические характеристики InAs p-n-переходов.