Абуталыбов Г.И., Джафарова С.З., Рагимова Н.А., Мехтиев Э.И. «Взаимодействие ультраузких линий излучения с оптическими и акустическими фононами в кристалле TlGaS₂» Физика твердого тела, 34, № 6, с. 1711-1712 (1992)

На основании исследований температурной зависимости (1.8–77 K) линий излучения кристалла TlGaS₂, обусловленных излучательными переходами между электронными уровнями дефекта решетки, эффективно возбуждаемых через экситонный механизм, в диапазоне энергий 2.035–2.038 эВ обнаружено их взаимодействие с оптическими и акустическими фононами.