Сорокин Б.П., Турчин П.П., Глушков Д.А. «Упругая нелинейность и особенности распространения объемных акустических волн в условиях действия однородных механических напряжений в монокристалле La₃Ga₅SiO₁₄» Физика твердого тела, 36, № 10, с. 2907-2916 (1994)

Рассматривается распространение объемных акустических волн малой амплитуды в пьезоэлектрике La₃Ga₅SiO₁₄ при воздействии однородного механического давления P. Экспериментально определено, что зависимости скоростей упругих волн от P имеют линейный характер. Получены 24 коэффициента управления скоростью объемных акустических волн давлением и рассчитаны все 14 нелинейных модулей упругости данного материала. Проанализированы особенности распространения объемных акустических волн в монокристалле La₃Ga₅SiO₁₄ при воздействии P.

Дубовский О.А., Орлов А.В. «Связанные бифононные состояния акустических фононов» Физика твердого тела, 36, № 10, с. 3131-3139 (1994)

Показано, что ангармонизм акустических колебаний атомов в кристаллической решетке может привести к отщеплению от высококачественной границы полосы диссоциированных акустических двухфононных состояний изолированного терма связанного акустического бифонона. Получено дисперсионное уравнение для зависимости энергии акустического бифонона от волнового вектора и константы ангармонизма. Решение этого уравнения показало, что дисперсионная кривая акустического бифонона в центре зоны Бриллюэна имеет в отличие от акустических фононов зависимость от волнового вектора, отвечающую отрицательной эффективной массе. На границе зоны Бриллюэна, наоборот, дисперсионная зависимость бифонона линейна, так же как у акустического фонона в центре зоны. Исследованный бифонон как квантовое состояние соответствует классическому квазисолитону, частота которого бифуркационным образом отщепляется от границы зоны акустических колебаний.

Москаленко Е.С., Акимов А.В., Жмодиков А.Л., Каплянский А.А., Ченг Т., Хьюз О., Чаллис Л.Дж. «Разогрев двумерного экситонного газа в квантовых ямах GaAs/AlGaAs неравновесными фононами» Физика твердого тела, 36, № 10, с. 3140-3150 (1994)

По изменениям в спектрах экситонной люминесценции при T=4.5 K обнаружен разогрев двумерного экситонного газа (2DExG) в квантовых ямах разной толщины в структуре GaAs/AlGaAs под действием фононных тепловых импульсов, инжектированных в структуру со стороны подложки полуизолирующего GaAs. Результаты интерпретируются с учетом как связанной с законами сохранения специфики взаимодействия 2D-экситонов с акустическими фононами разных частот, так и неравновесного (непланковского) спектра фононов, прошедших через подложку. Отмечена роль экситон-экситонных столкновений в фононном разогреве, проявляющемся в наблюдаемой зависимости от плотности 2DExG.