Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

Квантовая электроника. 2008. 38, № 9

 

Быковский Н.Е., Сенатский Ю.В. «Cпектры, временная структура и угловая направленность генерации в кристалле Yb:YAG и в иттербиевом стекле при накачке низкокогерентным излучением лазера на центрах окраски LiF:F2+» Квантовая электроника, 38, № 9, с. 813-822 (2008)

При фокусировке излучения лазера на центрах окраски LiF:F2+(спектральный диапазон 0.89–0.95 мкм) на пластины из кристалла Yb:YAG с 20% концентрацией активатора и иттербиевого стекла с 10% концентрацией активатора наблюдались наносекундные импульсы излучения ионов Yb3+ в спектральной области 1.0–1.06 мкм с шириной спектра до 20 нм в Yb:YAG и до 50 нм в иттербиевом стекле. Генерация возникала в активной среде в области возбуждения ВРМБ излучения накачки диаметром менее 200 мкм. Угловая расходимость широкополосного лазерного излучения (10–3–10–4 рад) была на 1–2 порядка меньше дифракционного предела. Обсуждается механизм возникновения коротких импульсов остронаправленной широкополосной генерации в пространственной структуре тонких слоев с инверсией, возникающей в области распространения интенсивных акустических волн в среде. Интерпретация экспериментальных данных по угловой расходимости излучения основывается на новом представлении распределения электромагнитного поля фотона в пространстве не в форме бегущей волны, а с фиксированным по направлению распространения расположением структур поля. Рассматриваются особенности временной картины и спектров узкополосной линейчатой генерации в кристалле Yb:YAG и в иттербиевом стекле в резонаторе при релаксации области возбуждения ВРМБ в активной среде. Обсуждается возможность диагностики параметров среды по сдвигу спектров генерации на модах резонатора в различных участках области возбуждения ВРМБ.

Квантовая электроника, 38, № 9, с. 813-822 (2008) | Рубрика: 06.17