Олих Я.М., Тимочко Н.Д. «Прямое наблюдение релаксации проводимости в γ-облученном кремнии n-типа под влиянием импульсов ультразвука» Письма в Журнал технической физики, 37, № 1, с. 78-84 (2011)

В облученном и частично отожженном (280°C) n-Si-Fz в интервале температур T=110–180 K впервые обнаружено обратимое изменение электропроводимости σ_US при импульсном ультразвуковом нагружении (продольные волны: частота 6–10 MHz, интенсивность до 4· 10³ Wt · m^–2, длительность импульса 10^–5–10^–3 s). Установлено, что температурные зависимости акустоиндуцированных изменений σ_US (времена нарастания – τ_i и спада – τ_d) описываются уравнениями Аррениуса. Из наклона экспериментальных τ_i,d(T) определены энергии активации соответствующих процессов U_i≈0.09 eV, U_d≈0.13 eV, τ⁰_i≈4· 10^–8 s, τ⁰_d≈10^–9 s. Наблюдаемый эффект интерпретирован как акустоиндуцированный переход метастабильного дефекта между его состояниями.