Анзин В.Б., Глушков М.В., Жаров В.П., Косичкин Ю.В., Шайдуров В.О., Широков А.М. «Применение перестраиваемого по частоте инжекционного лазера на GaAs для оптико-акустического детектирования поглощения молекул фтористого водорода» Квантовая электроника, 2, № 7, с. 1403-1408 (1975)
Рассматривается применение перестраиваемого по частоте импульсного инжекционного лазера на GaAs для измерения слабых полос поглощения молекул. Перестройка по частоте осуществляется изменением величины гидростатического давления и тока. Чувствительность примененного для регистрации поглощения оптико-акустического детектора равна 2,5·10–12 Дж·см«, что позволяет при энергии в импульсе 10–8–10–6 Дж регистрировать поглощение в газах на уровне 10–3–10–5 см–1. Приводятся результаты экспериментальных измерений второго обертона молекул HF.
Квантовая электроника, 2, № 7, с. 1403-1408 (1975) | Рубрика: 06.17