Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

Квантовая электроника. 1986. 13, № 6

 

Аванесян С.М., Гусев В.Э. «Возбуждение сверхкоротких импульсов деформации при поглощении оптического излучения в полупроводниках» Квантовая электроника, 13, № 6, с. 1241-1249 (1986)

Теоретически исследованы различные режимы генерации гиперзвуковых волн при поглощении пикосекундных импульсов света в полупроводниках. Показано, что основной вклад в возбуждаемые акустические импульсы может давать деформационный механизм, связанный с изменением равновесной плотности полупроводников при фотовозбуждении в них электронно-дырочных пар. Установлены условия совпадения профиля импульса деформации с огибающей светового импульса.

Квантовая электроника, 13, № 6, с. 1241-1249 (1986) | Рубрика: 06.17