Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

Квантовая электроника. 1987. 14, № 10

 

Киккарин С.М., Царев А.В., Яковкин И.Б. «Частотная зависимость эффективности акустооптического взаимодействия в волноводах на основе GaAlAs/GaAs» Квантовая электроника, 14, № 10, с. 2064-2067 (1987)

На основе точного решения задачи о распространении поверхностных акустических волн (ПАВ) в слоистой структуре исследовано акустооптическое взаимодействие в волноводах GaAs/GaAlAs/GaAs. Описано поведение частотной зависимости эффективности дифракции при изменении параметров волноводной структуры и длины волны оптического излучения. Представлены результаты экспериментального исследования волновода на основе GaAlAs на частотах ПАВ 103 и 522 МГц.

Квантовая электроника, 14, № 10, с. 2064-2067 (1987) | Рубрики: 06.13 06.17