Зверев В.А. «Временное разрешение в радио-, сейсмо- и акустической локации» Известия высших учебных заведений. Радиофизика, 43, № 5, с. 406-412 (2000)

Рассмотрена возможность использования в целях локации монохроматического зондирующего сигнала, модулированного по амплитуде медленно изменяющейся функцией. Показано, что такой зондирующий сигнал при традиционной обработке должен рассматриваться как узкополосный, не обеспечивающий высокого временного разрешения, а при иной, тоже известной обработке этот зондирующий сигнал позволяет получить более высокое разрешение, соответствующее всей ширине его спектра. При этом отношение сигнала к шуму определяется максимумом зондирующего сигнала, а разрешение определяется шириной спектра, взятой на уровне его минимума. Обсуждены спектральный и кепстральный методы получения высокого временного разрешения. Проведено сопоставление рассмотренных методов получения высокого временного разрешения при локации с методами формирования изображений монохроматическим волновым полем.

Двоешерстов М.Ю., Петров С.Г., Чередник В.И., Чириманов А.П. «Трансформация мод поверхностных акустических волн в кристаллах KNBO₃ и PKN с сильной пьезосвязью» Известия высших учебных заведений. Радиофизика, 43, № 5, с. 445-451 (2000)

Рассмотрен процесс трансформации обобщённой поверхностной акустической волны (ОПАВ) в волну Гуляева–Блюстейна (Г–Б) или в рэлеевскую волну соответственно в yx-срезе и 90-yx-cрезе кристаллов KNbO₃ ромбической и PKN орторомбической сингонии при незначительном отклонении волнового вектора волны от направления оси чистой моды. Проведён численный анализ характеристик ОПАВ, волны Г–Б, а также рэлеевской волны в кристаллах KNbO₃ и PKN с сильной пьезоэлектрической связью. Показано, что в области yx-среза этих кристаллов ОПАВ имеет преимущественно поперечную компоненту механического смещения. При этом коэффициент электромеханической связи имеет рекордно большую величину. Проанализирована зависимость распределения механических смещений и электрического потенциала волны вглубь кристалла от расстояния от поверхности подложки на открытой и металлизированной поверхностях, а также рассмотрена зависимость скорости ОПАВ в данных кристаллах при изменении толщины металлической плёнки.