Антонов А.В., Гавриленко А.В., Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Винославский М.Н., Белевский П.А., Кравченко А.В. «Акустоэлектрические домены в гетероструктурах GAAS/INGAAS с квантовыми ямами» Известия РАН. Серия физическая, 68, № 1, с. 68-70 (2004)

Исследован электронный транспорт в гетероструктурах In_0.1Ga_0.9As/GaAs с квантовыми ямами в сильных латеральных полях. Показано, что формирование прианодного акустоэлектрического домена приводит к насыщению вольт-амперных характеристик в полях 200–500 В/см, а скорость движущихся доменов в образцах с большим легированием сильно зависит от ориентации электрического поля.

Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Шарков А.И. «Распространение неравновесных акустических фононов в алмазе, соединениях II-VI групп и кремнии с квантовыми ямами. рассеяние фононов на встроенных слоях и протяженных дефектах» Известия РАН. Серия физическая, 68, № 1, с. 112-114 (2004)

Знание таких микроскопических параметров акустических фононов как длины свободного пробега необходимо как для фундаментальной характеризации материала, так и для его практических приложений. Исследовано распространение неравновесных акустических фононов терагерцовых частот в алмазе с ионно-имплантированными слоями, моно- и поликристаллическом ZnTe, а также в кремнии с квантовыми ямами.