Двоешерстов М.Ю., Чередник В.И., Беляев А.В., Денисова А.В. «Параметры поверхностных акустических волн, распространяющихся в гетероэпитаксиальных структурах AlN/Al ₂O₃, AlN/Si» Современные наукоемкие технологии, № 1, с. 48-53 (2012)

Показаны результаты численных расчетов и экспериментальных измерений параметров поверхностных акустических волн, распространяющихся в гетероэпитаксиальных тонкопленочных пьезоструктурах AlN/Al₂O₃ и AlN/Si, предназначенных для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств. Рассчитаны и измерены скорость волны и коэффициент электромеханической связи в зависимости от относительной толщины пленки AlN, выращенной на подложках кремния Si(111) и C-ориентированного сапфира Al₂O₃.