Альшиц В.И., Бессонов Д.А., Любимов В.Н. «Возбуждение интенсивных акустических волн в гексагональных кристаллах» Кристаллография, 58, № 6, с. 868-877 (2013)

Описано резонансное возбуждение интенсивной упругой волны с помощью отражения от свободной поверхности гексагонального кристалла волны накачки. Резонанс возникает при специальном выборе геометрии распространения, когда отражающая граница немного отклонена от симметричной ориентации, а интенсивная отраженная волна близка к направлению распространения особой объемной моды, удовлетворяющей условию свободной границы в невозмущенной симметричной ориентации. Показано, что в кристаллах с упругими модулями c₄₄c₆₆ резонанс возникает при выборе исходной границы, параллельной гексагональной оси 6, а в кристаллах с модулями c₄₄c₆₆ – когда исходная граница ортогональна этой оси. Доля энергии волны накачки, попадающая в возбуждаемый пучок, зависит от конкретных соотношений между модулями упругости и может быть весьма значительной при специальном подборе кристаллов. Приведены примеры кристаллов, в которых при достаточно высоких частотах можно повысить интенсивность пучка в 5–10 раз, сохранив его расходимость на приемлемом уровне.