Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

Микроэлектроника. 2005. 34, № 6

 

Парчинский П.Б. «Влияние ультразвуковой обработки на плотность поверхностных состояний на границе раздела кремний–диоксид кремния, облученной γ-квантами» Микроэлектроника, 34, № 6, с. 420-423 (2005)

Исследовано влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний–диоксид кремния, предварительно облученной γ-квантами. Установлено, что ультразвуковое воздействие ведет к уменьшению значений плотности радиационно-индуцированных поверхностных состояний. Показано, что наблюдаемый эффект может быть обусловлен стимулированной ультразвуком перестройкой дефектной структуры переходной области у границы раздела кремний–диоксид кремния.

Микроэлектроника, 34, № 6, с. 420-423 (2005) | Рубрика: 06.22