Крутов В.В., Сигов А.С., Щука А.А. «Создание сегнетоэлектрических доменных структур с использованием ультразвука вблизи нижней границы свч-диапазона» Прикладная физика, № 6, с. 60-63 (2018)

Найдено экономичное технологическое решение создания сегнетоэлектрических доменных структур с периодом d>>40–100 мкм. Определены значения частоты упругих волн и температуры жидких электродов. Полученные результаты могут быть применены к технологии, ориентированной на массовое производство устройств на основе доменных структур, в частности, при изготовлении акустических фильтров и резонаторов с улучшенными характеристиками. Технология обладает малой продолжительностью технологического цикла и в то же время обеспечивает необходимую глубину инвертирования доменов.