Тазиев Р.М. «Температурные свойства поверхностных акустических волн в кристаллах a-GeO₂» Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 17, № 3, с. 284-289 (2020)

Проведено численное исследование температурных свойств поверхностных акустических волн (ПАВ) в кристалле a-GeO₂, выращенного из расплава. Показано, что изменение скорости ПАВ существенным образом зависит только от изменения трех упругих постоянных: C₆₆, C₄₄, C₁₄ для срезов, ориентации кристалла, где ПАВ имеет большие значения коэффициента электромеханической связи. ТКЗ волны для этих срезов находится в диапазоне –25 ppm/°С до –50 ppm/°С. В отличие от кристалла a-SiO₂, величина ТКЗ поверхностной волны для Z, Y-срезов и Z-повернутых срезов не равна нулю ни для одной ориентации кристалла a-GeO₂. Она сравнима по величине со значениями ТКЗ для поверхностной волны в танталате лития. Рассчитана частотная зависимость проводимости встречно-штыревых преобразователей (ВШП) ПАВ с числом электродов 100 и периодом структуры 20 микрон для кристалла a-GeO₂, выращенных из расплава и гидротермальным методом. Вытекающая акустическая волна, генерируемая в ВШП в Z⁺ 120°, X-срезе кристалла, имеет коэффициент электромеханической связи, который в 5 раз меньше, чем ПАВ. Этот срез кристалла a-GeO₂ наиболее интересен для применений в устройствах на ПАВ.