Беляев Б.А., Сержантов А.М., Лексиков Ан.А., Бальва Я.Ф., Александровский А.А., Галеев Р.Г. «Высокоселективный волноводный полосно-пропускающий фильтр с уровнем подавления помех более 120 dB» Письма в Журнал технической физики, 49, № 10, с. 33-38 (2023)

Разработана и исследована конструкция волноводного полосно-пропускающего фильтра десятого порядка с дополнительной индуктивной связью между несмежными резонаторами. Индуктивную связь образует U-образный проводник с замкнутыми на экран концами, сформированный в крышке фильтра. Это обеспечивает не только температурную стабильность характеристик, но и технологичность изготовления конструкции. Высокая избирательность устройства обусловлена полюсами затухания, расположенными вблизи полосы пропускания, а также уровнем подавления помех в полосах заграждения, превышающим 120 dB. Потери в полосе пропускания изготовленного фильтра ∼0.8 dB при ее центральной частоте f₀=18.2 GHz и относительной ширине Delta f/f₀=1.5%. Небольшие габариты (135×30×10 mm) и вес (около 200 g) устройства, а главное, высокие электрические характеристики показывают перспективность его использования, например, в бортовых и наземных системах космической связи. Ключевые слова: полосно-пропускающий фильтр, волновод, резонатор, дополнительная связь.

Николаев В.И., Тимашов Р.Б., Степанов А.И., Степанов С.И., Чикиряка А.В., Щеглов М.П., Поляков А.Я. «Тонкие монокристаллические слои α-Cr₂O₃, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии» Письма в Журнал технической физики, 49, № 10, с. 43-46 (2023)

Проведен синтез монокристаллического слоя α-Cr₂O₃ на подложке сапфира базисной ориентации в лабораторном реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии. Изучено влияние температуры роста слоя в диапазоне 700–850°C на его структурное качество по данным рентгеновской дифракции. При температуре 800°C в зоне подложки получены сплошные слои толщиной около 1 μm, прозрачные в видимой области, со слегка зеленоватым оттенком, сохраняющие некоторое пропускание света вплоть до длин волн ∼350 nm. Полуширина на полувысоте рентгеновской кривой качания ω-сканирования для отражения 0006 составила ∼300 arcsec. Ключевые слова: оксид хрома, CVD-эпитаксия, широкозонный полупроводник.