Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. «Исследование трансформации приповерхностных слоев арсенида галлия под воздействием света с помощью поверхностных акустических волн» Радиотехника и электроника, 66, № 5, с. 490-499 (2021)

С помощью поверхностных акустических волн (ПАВ) в работе исследовались изменения состояния приповерхностного слоя полуизолирующего (111) GaAs, находящегося на воздухе, под воздействием белого света. Показано, что в зависимости от величины интенсивности света и уровня мощности ПАВ усиливаются или ослабляются реакции взаимодействия с молекулами, атомами и заряженными частицами воздушной среды. Рассмотрена роль стоячих акустических волн, возникающих в приповерхностных слоях арсенида галлия, а именно концентрация эффектов взаимодействия в местах наибольшей освещенности в результате дифракции света на стоячих акустических волнах. Найдено, что при этом в пятнах дифракции формируются зародыши (Ga+As), покрытые слоями соединений с кислородом и углеродом, либо растущие, либо растекающиеся, и формирование слоя оксида приводит к переориентации поверхности GaAs.