Аскинази Л.Г., Вильджюнас М.И., Жубр Н.А., Комаров А.Д., Корнев В.А., Крикунов С.В., Крупник Л.И., Лебедев С.В., Рождественский В.В., Tendler М., Тукачинский А.С., Хребтов С.М. «Эволюция колебаний геодезической акустической моды в разряде с омическим переходом в режим хорошего удержания в токамаке ТУМАН-3М» Письма в Журнал технической физики, 38, № 6, с. 22-28 (2012)

Проведено формирование эпитаксиальных структур GaN методом латерального эпитаксиального разращивания, при котором GaN выращивается в полосковых окнах на частично маскированном исходном слое GaN. Установлено, что, помимо традиционной ориентации полосков поперек оси c GaN, данный процесс возможен при ориентации полосков под углом 45° к оси c. В этом случае возможно проведение двух процессов латерального разращивания во взаимно перпендикулярных направлениях, что существенно снижает относительную площадь несовершенного материала, формирующегося над окнами в маске.