Российский фонд
фундаментальных
исследований

Физический факультет
МГУ им. М.В.Ломоносова
 

06.08 Плазменная акустика

 

Герасимов Н.А., Каныгин А.В., Сухомлинов В.С. «Дисперсия акустических волн в плазме самостоятельного газового разряда» Журнал технической физики, 82, № 1, с. 90-95 (2012)

Исследованы дисперсионные эффекты прохождения акустических волн через плазму слабоионизованного газа. Основные теоретические результаты основаны на полученном ранее уравнении распространения звука в среде с так называемым рэлеевским механизмом энерговыделения. В отличие от предыдущих исследований в данной работе решается задача о распространении не начального возмущения, а возмущения от источника. В частности, подробно исследованы случаи источника N-образной ударной волны и волны в виде симметричной ступеньки. Показано, что в зависимости от ориентации направления распространения волны – вдоль или поперек электрического поля в плазме – она вырождается либо в пакет волн, частота которых ниже определенной частоты, характеризующей нагрев, либо в пакет волн с частотой выше нее. Кроме того, получен количественнй критерий, позволяющий оценить, при каких параметрах плазмы в ней можно будет наблюдать явление дисперсии акустических волн.

Журнал технической физики, 82, № 1, с. 90-95 (2012) | Рубрика: 06.08

 

Соснин Э.А., Панарин В.А., Тарасенко В.Ф. «Акустические характеристики XeCl-эксилампы барьерного разряда» Журнал технической физики, 82, № 7, с. 85-91 (2012)

Исследована динамика формирования акустического сигнала при подаче импульсов напряжения (f=15 kHz) на электроды XeCl-эксилампы барьерного разряда в смесях Xe/Cl2=(50–500)/1 и величинах парциального давления 5–500 Torr. Показано, что временной ход акустического сигнала является маркером процесса выхода эксилампы в установившийся режим работы. Определены оптимальные по мощности и эффективности условия работы эксилампы (смесь Xe/Сl2=240/1 и p=98 Torr, eta∼9.5%). Экспериментально показано, что при низких давлениях основная доля энергии разряда расходуется на тепловой нагрев газа, что соответствует объемной форме выделения тепла и объемной форме свечения. (С ростом давления вклад этого канала расходования энергии падает, и все большая доля энергии разряда тратится на возбуждение акустических колебаний.) Переход к высоким давлениям обогащает фурье-спектр акустического сигнала, увеличивает его интенсивность и одновременно дисперсию сигнала. При очень высоких парциальных давлениях акустический сигнал падает и достигает уровня, соответствующего собственным колебаниям колбы эксилампы без разряда. (При погасании разряда фурье-спектр сигнала обедняется и содержит только гармоники, соответствующие несущей частоте импульсов напряжения источника питания.)

Журнал технической физики, 82, № 7, с. 85-91 (2012) | Рубрика: 06.08

 

Филиппов A.B., Старостин А.Н., Ткаченко И.М., Фортов В.Е., Байестер Д., Конде Л. «Пылеакустические волны в неравновесной пылевой плазме» Письма в ЖЭТФ, 91, № 11, с. 626-633 (2010)

На основе метода моментов, применимого при любых значениях параметра неидеальности пылевой плазмы, и на основе гидродинамического подхода, справедливого только при малых параметрах неидеальности, проведено обобщение теории волн и колебаний комплексной плазмы на случай двухэкспоненциального потенциала взаимодействия. Показано, что при малых параметрах неидеальности гидродинамический подход и подход на основе метода моментов приводят к одному и тому же дисперсионному соотношению. Показано, что скорость пылеакустических волн в длинноволновой области определяется малой постоянной экранирования, а в коротковолновой - большей постоянной. Показано, что в неравновесной плазме скорость пылеакустических волн оказывается значительно выше той, что получается при использовании дебаевской теории экранирования для равновесной плазмы. Также на основе гидродинамического подхода показана важность включения самосогласованного влияния пылевой, электронной и ионной компонент друг на друга, учета стоков электронов и ионов на пылевые частицы, приводящих к заметному изменению параметров потенциала взаимодействия пылевых частиц.

Письма в ЖЭТФ, 91, № 11, с. 626-633 (2010) | Рубрика: 06.08

 

Андреев И.В., Муравьев В.М., Кукушкин И.В. «Наблюдение акустических краевых магнитоплазмонов вблизи фактора заполнения v=1» Письма в ЖЭТФ, 96, № 7-8, с. 588-592 (2012)

Проведено исследование акустических краевых магнитоплазменных (АКМП) возбуждений в микрометровых дисках двумерных электронов. Показано, что при температурах ниже энергии спинового расщепления в двумерной электронной системе (ДЭС) могут возникать дополнительные АКМП-моды, связанные с существованием в ДЭС несжимаемых полосок, обусловленных зеемановским спиновым расщеплением. Изучена магнитодисперсия первой "спиновой" ветви АКМП. Показано, что эта мода исчезает при подходе к фактору заполнения v=1. Также проведено исследование зависимости относительной амплитуды АКМП от фактора заполнения.

Письма в ЖЭТФ, 96, № 7-8, с. 588-592 (2012) | Рубрика: 06.08

 

Грициенко Н.В., Латышев А.В., Юшканов А.А. «Отражение плазменных волн от границы с зеркально-аккомодационными граничными условиями» Письма в Журнал технической физики, 36, № 16, с. 27-33 (2010)

Решена линеаризованная задача об отражении плазменной волны от границы полупространства. Рассматриваются зеркально-аккомодационные условия отражения электронов от границы. Коэффициент отражения волны найден как функция параметров задачи, показана его зависимость от коэффициента аккомодации нормального импульса электронов. Анализируется длинноволновой предел.

Письма в Журнал технической физики, 36, № 16, с. 27-33 (2010) | Рубрика: 06.08

 

Аскинази Л.Г., Вильджюнас М.И., Жубр Н.А., Комаров А.Д., Корнев В.А., Крикунов С.В., Крупник Л.И., Лебедев С.В., Рождественский В.В., Tendler М., Тукачинский А.С., Хребтов С.М. «Эволюция колебаний геодезической акустической моды в разряде с омическим переходом в режим хорошего удержания в токамаке ТУМАН-3М» Письма в Журнал технической физики, 38, № 6, с. 22-28 (2012)

Проведено формирование эпитаксиальных структур GaN методом латерального эпитаксиального разращивания, при котором GaN выращивается в полосковых окнах на частично маскированном исходном слое GaN. Установлено, что, помимо традиционной ориентации полосков поперек оси c GaN, данный процесс возможен при ориентации полосков под углом 45° к оси c. В этом случае возможно проведение двух процессов латерального разращивания во взаимно перпендикулярных направлениях, что существенно снижает относительную площадь несовершенного материала, формирующегося над окнами в маске.

Письма в Журнал технической физики, 38, № 6, с. 22-28 (2012) | Рубрика: 06.08