Гутлянский Е.Д. «Взаимодействие поверхностных акустических волн с движущимися вихревыми структурами сверхпроводящих пленок» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 132, № 1, с. 308-313 (2007)

Предложен способ описания движущейся вихревой структуры пленок и ее взаимодействия с поверхностными акустическими волнами (ПАВ). Показано, что движущаяся вихревая структура может усиливать, (генерировать) ПАВ. Этот эффект, в отличие от аналогичного эффекта в полупроводниковых пленках, может возникать при скоростях движения вихревой структуры гораздо меньших скорости ПАВ. Показано, что в движущейся вихревой структуре существует односторонняя коллективная мода, и она порождает резонансный по скорости вихревой структуры акустический аналог диодного эффекта, а именно, аномальное затухание ПАВ в направлении движения вихревой структуры и отсутствие его при распространении в противоположном направлении.

Волошин А.С., Балакший В.И. «Секция 7. Акустоэлектроника и акустооптика. Экспериментальное исследование дифракции света на наклонной фазовой решетке» Сборник трудов участников XIII Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах" ("Волны-2012", 21–26 мая 2012 г.), с. 2-5 (2012)

Полученные результаты подтверждают сильное влияние сноса акустической энергии на характеристики дифракционного спектра. Видно, что учет сноса приводит к сужению частотного диапазона взаимодействия почти для всех углов Брэгга. Для больших же значений угла Брэгга возможно уширение частотной характеристики. Это говорит о том, что снос акустического пучка является важным эффектом акустооптического взаимодействия и его необходимо учитывать при разработке акустооптических устройств.

Юхневич Т.В., Волошинов В.Б. «Секция 7. Акустоэлектроника и акустооптика. Сравнение характеристик двух типов широкоапертурных акустооптических фильтров» Сборник трудов участников XIII Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах" ("Волны-2012", 21–26 мая 2012 г.), с. 19-22 (2012)

Сделан вывод, что фильтры с геометрией взаимодействия вдали от оси кристалла превосходят классические фильтры по пространственной и спектральной разрешающей способности. Поэтому новые устройства могут быть использованы при решении специальных задач, например, когда при работе со световыми пучками необходимо получить более высокое качество отфильтрованных изображений.

Горский П.В. «Квазиклассическое рассмотрение осцилляций электропроводности слоистых кристаллов при учете анизотропии рассеяния носителей тока на акустических фононах» Известия вузов. Физика, 49, № 6, с. 30-36 (2006)

Проклов В.В., Курский В.Н., Бышевский-Конопко О.А. «Акустоэлектронный широкополосный спектрально эффективный интерфейс беспроводного доступа к сетям "ГРИД"» Радиотехника, № 9, с. 47-57 (2010)

Рассмотрена архитектура широкополосного интерфейса беспроводного доступа к сегментам глобально распределенных виртуальных сетей "ГРИД" с учетом концепции и специфики развития беспроводной телекоммуникационной инфраструктуры на основе акустоэлектронной технологии. Проведена оптимизация параметров беспроводного интерфейса при использовании корреляционного процессора на поверхностных акустических волнах (ПАВ) с целью повышения пропускной способности и спектральной эффективности. Показана возможность обеспечения в безлицензионных диапазонах частот пропускной способности СC₀ = 2,4–2,7 Гбит/с, что существенно превышает требования к системам беспроводного доступа 4 поколения (4G).

Анищенко А.В., Рогов С.А., Высоцкий М.Г., Катков Б.Г., Парфенов В.А., Розов С.В., Скороход В.В., Тутыгин В.С., Южаков А.В. «Акустооптоэлектронный приемник – анализатор спектра для измерения параметров радиосигналов в реальном масштабе времени» Радиотехника, № 5, с. 18-25 (2012)

Разработан акустооптоэлектронный приемник-анализатор спектра для записи частотно-временного представления сигналов и определения в реальном масштабе времени ряда их параметров. Приемник сконструирован на основе малогабаритного термостабилизированного акустооптического процессора с полупроводниковым лазером и линейным ПЗС-фотоприемником. В приемнике используется программируемое цифровое устройство вторичной обработки сигналов на базе программируемой логической интегральной схемы и система контроля параметров с помощью пилот-сигнала. Работа приемника была проверена в полигонных условиях при приеме сигналов РЛС космических аппаратов.

Мансфельд Г.Д., Ползикова Н.И., Раевский А.О., Прохорова И.Г. «Параметрические эффекты в составных акустических резонаторах с пьезоэлектрическим полупроводником» Радиотехника и электроника, 50, № 7, с. 886-891 (2005)

Рассмотрена возможность генерации и усиления объемных акустических волн в составной резонаторной структуре, содержащей слой пьезоэлектрического полупроводника. Показано, что входной электрический импеданс составного акустического резонатора зависит от частоты и амплитуды внешнего электрического поля, действующего на полупроводниковый слой. Установлено, что если частота действующего электрического поля попадает в окрестность удвоенной частоты одной из собственных мод составной резонаторной структуры, то возможно возникновение параметрического резонанса, усиления и генерации акустических колебаний в структуре.

Горюнов И.В., Мякиньков В.Ю., Рудый Ю.Б., Галдецкий А.В., Фетисов Ю.К. «Перестраиваемый транзисторный СВЧ-генератор с резонатором на высших типах объемных акустических мод» Радиотехника и электроника, 51, № 7, с. 885-889 (2006)

Исследованы характеристики транзисторного генератора, стабилизированного частотно-задающим элементом в виде многочастотного резонатора на высших типах объемных акустических мод. Продемонстрированы возможности дискретной электронной перестройки частоты генератора.

Алексеев С.Г., Мансфельд Г.Д., Ползикова Н.И. «Захват энергии колебаний в составных акустических резонаторах на основе кубических кристаллов» Радиотехника и электроника, 51, № 8, с. 984-990 (2006)

Аналитически решена задача о захвате энергии колебаний в составной резонаторной структуре, предназначенной для работы в СВЧ-диапазоне и содержащей относительно толстую пластинку кубического кристалла с нанесенной на нее пьезоэлектрической пленкой с электродами. Принципиально важным является строгий учет волновых свойств пьезоэлектрической пленки и электродов. Задача решена для резонатора, который работает на высоких гармониках основной частоты слоя, при большом отношении его толщины к толщине остальных слоев структуры. Формулы позволяют анализировать возможность получения высокой добротности составной резонаторной структуры на необходимой частоте.

Галисултанов А.Т., Дзюбаненко С.В., Игнатьев В.С., Силаков Д.М., Калинин В.А. «Акустоэлектронные датчики силы в системах безопасности гидроагрегатов ГЭС» Нано- и микросистемная техника, № 8, с. 24-28 (2012)

Разработан акустоэлектронный датчик силы, предназначенный для контроля силовых воздействий на анкерные сваи и шпильки креплений крышек турбин гидроэлектростанций. Использование пьезоэлектрических чувствительных элементов позволяет улучшить точностные и эксплуатационные характеристики. Система контроля динамического состояния силоизмерительных шайб (СКДС-СИШ), построенная на этих датчиках, дает возможность осуществлять непрерывный контроль нагрузок, что повышает безопасность сложных технических объектов.

Кокурин И.А., Маргулис В.А. «Акустоэлектрический ток в баллистическом микросужении» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 131, № 2, с. 291-301 (2007)

Теоретически исследовано поведение акустоэлектрического тока через трехмерное квантовое микросужение, помещенное в продольное однородное магнитное поле, при баллистическом транспортном режиме. Детально изучены периоды осцилляций акустоэлектрического тока как функции химического потенциала и индукции магнитного поля. Учтено влияние температуры. Показано, что поведение акустоэлектрического тока как функции химического потенциала может носить экспериментально наблюдавшийся ступенчатый характер. Установлены пределы существования ступенчатой структуры.

Кокурин И.А., Маргулис В.А. «Акустоэлектрический ток в квантовой проволоке, содержащей точечную примесь» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 132, № 1, с. 233-236 (2007)

Теоретически исследован наведенный потоком ультразвуковых фононов постоянный электрический ток через квантовую проволоку, содержащую одиночную точечную примесь. Получено явное выражение для акустоэлектрического тока и изучена его зависимость от химического потенциала электронного газа и индукции внешнего магнитного поля. Показано, что наличие точечной примеси может приводить к ча-стичному или полному разрушению ступенчатой структуры на зависимости акустоэлектрического тока от химического потенциала.

Гутлянский С.Е., Гутлянский Е.Д. «Аномальное поведение поперечного акустоэлектрического эффекта в сверхпроводниках с движущейся вихревой структурой и образование акустовихревых доменов» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 132, № 1, с. 304-307 (2007)

Показано, что продольная ультразвуковая волна в сверхпроводниках с движущейся вихревой структурой генерирует дополнительное поперечное акустоэлектрическое поле, пропорциональное мощности этой волны. Это поле меняет знак скорости движения вихревой структуры, меньшей скорости ультразвуковой волны, Это качественно отличает рассматриваемый эффект от аналогичного эффекта на электронах проводимости в полупроводниках. Совместно с эффектом усиления ультразвуковой волны,такое поведение акустоэлектрического поля может приводить к отрицательной дифференциальной проводимости и, следовательно, к образованию в сверхпроводнике акустовихревых доменов.

Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А., Лидли Д.Р. «Магнитосопротивление и акустоэлектронные эффекты в наклонном магнитном поле в структурах p-Si/SiGe/Si с анизотропным g-фактором» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 138, № 3, с. 557-565 (2010)

Магнитосопротивление р_хх и р_ху и акустоэлектронные эффекты измерены в p-Si/SiGe/Si с концентрацией примесей с = 1.99·10¹¹ см^–2 в температурной области 0.3–2 К и в наклонном магнитном поле до 18 Тл. Определена зависимость эффективного g-фактора от угла наклона имагнитного поля относительно нормали к плоскости двумерного канала p-Si/SiGe/Si. В магнитных полях, соответствующих числу заполнения ν = 2, при θ ≈ 59–60° наблюдается фазовый переход первого рода ферромагнетик–парамагнетик.