Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А., Лидли Д.Р. «Магнитосопротивление и акустоэлектронные эффекты в наклонном магнитном поле в структурах p-Si/SiGe/Si с анизотропным g-фактором» Журнал экспериментальной и теоретической физики, 138, № 3, с. 557-565 (2010)

Магнитосопротивление р_хх и р_ху и акустоэлектронные эффекты измерены в p-Si/SiGe/Si с концентрацией примесей с = 1.99·10¹¹ см^–2 в температурной области 0.3–2 К и в наклонном магнитном поле до 18 Тл. Определена зависимость эффективного g-фактора от угла наклона имагнитного поля относительно нормали к плоскости двумерного канала p-Si/SiGe/Si. В магнитных полях, соответствующих числу заполнения ν = 2, при θ ≈ 59–60° наблюдается фазовый переход первого рода ферромагнетик–парамагнетик.