Милёхин А.Г., Ерюков Н.А., Дмитриев Д.В., Toropov A.B., Никифоров А.И., Zahn D.R.T. «Анизотропия акустических фононов в сверхрешетках InAs/AlAs и Ge/Si с квантовыми точками» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 283 (2013)

Представлены результаты исследования анизотропии свернутых акустических фононов в сверхрешетках InAs/AlAs и Ge/Si с квантовыми точками с помощью комбинационного рассеяния света.

Аверкиев Н.С., Барышников К.А., Берсуке И.Б., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Маякин В.Ю., Монахов А.М., Сарычев М.Н., Седов В.Е. «Ультразвуковые исследования вибронного взаимодействия в кристалле GaAs:Cu» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 339 (2013)

Грешнов А.А., Бельтюков Я.М. «Моделирование квантового эффекта Холла в графене» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 399 (2013)

С целью выяснения причин такой устойчивости графена к повышению температуры проводится численное моделирование магнетотранспорта с учетом электрон-фононного взаимодействия, управляющего шириной платоквантового эффекта Холла. Для описания электронных состояний в графене в присутствии сильного магнитного поля и беспорядка использован эффективный гамильтониан. Полученные путем численной диагонализации одноэлектронного гамильтониана волновые функции затем использовались для расчета темпов переходов с участием акустических фононов. Принципиальным отличием графена от квантовых ям является помимо линейного спектра носителей ограничение возбуждений в поперечном направлении единственным атомным слоем. В результате фононы оказываются существенно двумерными, и сила электрон-фононного взаимодействия заметно ослабевает (при наличии подложки чувствуется лишь край трехмерной волны).

Федичкин Л.Е., Васильев А.Ю. «Декогеренция электронных состояний в тройных квантовых SiGe точках вызванная фононами» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 435 (2013)

Аюханов Р.А., Гуляев Ю.В., Шкердин Г.Н. «Эффекты взаимодействия экситон-поляритонов, распространяющихся в сверхрешетках, со звуковой волной» Оптический журнал, 80, № 2, с. 12-14 (2013)

Получено выражение для силы осциллятора основного экситонного перехода, вычисленное при использовании вариационной процедуры в квантовой яме в приближении бесконечного дна. Показано, что эта величина в (α_B/l)² раз больше силы осциллятора в объемном случае ((α_B – боровский радиус объемного экситона, l – вариационный параметр), что приводит к увеличению ширины поляритонной щели. Проведено рассмотрение эффекта модуляции звуковой волной коэффициента отражения света на частоте продольного экситона в сверхрешетках, а также дифракции света на звуковой волне. Показано, что в сверхрешетках эти эффекты могут достигаться при температурах в полтора раза больших, чем для объемных кристаллов и при меньших требованиях к их чистоте.