Ефремов Г.Ф., Мареева О.В. «Дисперсионные эффекты фононного трения электронов в полупроводниках» Труды XI научной конференция по радиофизике, посвященной 105-й годовщине со дня рождения М.Т. Греховой. 7 мая 2007 г., Нижний Новгород / Под ред. А.В. Кудрина, А.В. Якимова, с. 31-32 (2007)

Работа посвящена теоретическому исследованию дисперсионных эффектов фононного трения электронов-квазичастиц в полупроводниках с учетом воздействия на электрон флуктуаций фононного поля и запаздывания взаимодействия. Рассмотрена задача о рассеянии электрона, находящегося в неравновесном состоянии, в квантованном фононном поле кристаллической решетки. Использовались метод квантовых уравнений Ланжевена и концепция пробной частицы. Были найдены частотные зависимости коэффициента релаксации импульса быстрого электрона при рассеянии на фононах в полупроводниках в достаточно широком диапазоне температур во внешнем переменном электрическом поле.

Соколов М.А., Умнов А.Л. «Мобильные детекторы присутствия микропримесей в воздухе, построенные на основе акустоэлектронных СВЧ систем» Труды XV научной конференция по радиофизике, посвященной 110-годовщине со дня рождения А.А. Андронова. 10–13 мая 2011 г., Нижний Новгород / Под ред. С.М. Грача, А.В. Якимова, с. 284-285 (2011)

Шамирзаев Т.С. «Новый класс полупроводниковых гетероструктур: квантовые ямы и квантовые точки первого рода с непрямой запрещенной зоной» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 14 (2013)

Экспериментально и теоретически обосновывается существование нового класса полупроводниковых гетероструктур – квантовых точек (КТ) первого рода, с непрямой запрещенной зоной. Показано, что доминирующим механизмом спиновой релаксации локализованных в КТ экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона.

Гуляев Д.В., Журавлев К.С. «Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 222 (2013)

Исследовалось влияние электрического поля, генерируемого стоячей поверхностной акустической волной на стационарную фотолюминесценцию (ФЛ) и кинетику ФЛ экситонов в GaAs/AlAs сверхрешетках 2-го рода.

Гудков В.В., Жевстовских И.В., Окулов В.И., Маякин В.Ю., Сарычев М.Н. «Резонансная температурная зависимость коэффициента поглощения ультразвука электронами гибридизированных состояний примесей кобальта в селениде ртути» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 330 (2013)

Приведены результаты экспериментов по температурной зависимости коэффициента поглощения ультразвука в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта малой концентрации, в которых обнаружена резонансная аномалия в интервале температур, отвечающем уже известным проявлениям гибридизированных состояний.

Завьялов И.К. «Акустические свойства полупроводниковых материалов» Шестьдесят шестая всероссийская научно-техническая конференция студентов, магистрантов и аспирантов высших учебных заведений с международным участием. 23 апреля 2013 г., Ярославль. Ч. 1, 2: тез. докл., с. 295 (2013)