Мищенко А.С. «Электрон-фононное взаимодействие в недодопированных высокотемпературных сверхпроводниках» Успехи физических наук, 179, № 12, с. 1259-1280 (2009)

Представлены результаты, свидетельствующие о существенной роли электрон-фононного взаимодействия в соединениях, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью. Особое внимание уделяется анализу проявлений электрон-фононного взаимодействия в фотоэмиссии с угловым разрешением и оптической проводимости. На основе сравнения экспериментальных и теоретических данных определена безразмерная константа связи с фононами λ. Недопированные соединения находятся в режиме сильной связи, при котором константа связи λ близка к единице. При допировании дырками константа λ уменьшается, и при оптимальных концентрациях дырок соединения находятся уже в режиме промежуточной связи.

Савкина Р.К., Смирнов А.Б. «Образование нитридов на поверхности монокристаллического GaAs в криогенной жидкости при облучении ультразвуком» Письма в Журнал технической физики, 41, № 4, с. 15-23 (2015)

Представлен разработанный авторами и успешно примененный метод структурирования поверхности полупроводника, в основе которого лежит применение явления кавитации, возбужденной в жидкости сфокусированным ультразвуком. Установлено, что на поверхности образцов монокристаллического (001) GaAs, помещенного в жидкий азот, в котором при помощи сфокусированных ультразвуковых колебаний частотой ∼1 МГц и мощностью ∼15 Вт/см² возбуждалось явление кавитации, образуется субмикронный рельеф – волнообразные и концентрические структуры высотой до 300 нм с небольшими округлыми выпуклостями. Данные спектров комбинационного рассеивания и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии подтверждают образование соединения GaAs_1–xN_x с содержанием азота на уровне 5–7%.