Савкина Р.К., Смирнов А.Б. «Образование нитридов на поверхности монокристаллического GaAs в криогенной жидкости при облучении ультразвуком» Письма в Журнал технической физики, 41, № 4, с. 15-23 (2015)

Представлен разработанный авторами и успешно примененный метод структурирования поверхности полупроводника, в основе которого лежит применение явления кавитации, возбужденной в жидкости сфокусированным ультразвуком. Установлено, что на поверхности образцов монокристаллического (001) GaAs, помещенного в жидкий азот, в котором при помощи сфокусированных ультразвуковых колебаний частотой ∼1 МГц и мощностью ∼15 Вт/см² возбуждалось явление кавитации, образуется субмикронный рельеф – волнообразные и концентрические структуры высотой до 300 нм с небольшими округлыми выпуклостями. Данные спектров комбинационного рассеивания и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии подтверждают образование соединения GaAs_1–xN_x с содержанием азота на уровне 5–7%.

Цырюльников И.С., Маслов А.А., Миронов С.Г., Поплавская Т.В., Кириловский С.В. «Об эффективности метода звукопоглощающих покрытий в колебательно-возбужденном гиперзвуковом потоке» Письма в Журнал технической физики, 41, № 4, с. 61-67 (2015)

Приведены результаты экспериментального исследования воздействия пористой звукопоглощающей вставки на интенсивность пульсаций давления на поверхности пластины под углом атаки 10.2°, обтекаемой высокотемпературным гиперзвуковым потоком углекислого газа. Экспериментально определен модовый состав возмущений в ядре потока импульсной аэродинамической трубы, выявлено доминирование акустических возмущений быстрой моды. Показано, что в случае воздействия на ударный слой акустических возмущений быстрой моды звукопоглощающая вставка ослабляет интенсивность пульсаций давления на поверхности пластины по сравнению со сплошной поверхностью. Результаты экспериментов сопоставлены с данными численного моделирования.