Анисимкин В.И. «Оптимизация интегральной решетки акустоэлектронных газовых датчиков» Радиотехника и электроника, 60, № 9, с. 985-991 (2015)

Проведен расчет ориентационных зависимостей (анизотропии) поверхностных акустических волн (ПАВ) в наиболее распространенных срезах пьезоэлектрических монокристаллов кварца, ниобата и танталата лития, германата и силиката висмута. Определены материал, кристаллографическая ориентация и совокупность направлений распространения ПАВ, находящихся в рамках одной плоскости, которые обеспечивают наиболее высокое различие газовых “откликов” волн по этим направлениям. На основе полученных данных изготовлен и испытан макет сенсорной решетки, объединяющей в рамках одной подложки до пяти акустоэлектронных датчиков.

Анисимкин В.И., Пятайкин И.И. «Экспериментальные установки для исследования акустоэлектронных датчиков в импульсном и непрерывном режимах» Нелинейный мир, 13, № 4, с. 17-20 (2015)

Описаны две лабораторные установки для исследования акустоэлектронных датчиков: одна установка предназначена для работы в импульсном режиме и позволяет измерять «отклики» датчиков, связанных с измерением фазы акустической волны, другая предназначена для работы в непрерывном режиме и позволяет измерять как фазовые, так и амплитудные «отклики» датчиков. Приведены конкретные примеры, демонстрирующие работу обеих установок.

Вдовенков В.А., Прокофьева С.П. «Особенности работы быстродействующих фоторезисторов с барьерами Шоттки» Журнал технической физики, 61, № 9, с. 67-72 (1991)

Исследованы фотоприемники с конструкцией фоторезистора на основе однородного арсенида галлия, компенсированного хромом и кислородом с удельным сопротивлением ∼10⁶ Ом·см, с перекрывающимися областями обеднения контактов Шоттки. Показано, что в электрических полях выше1.3·10³ В/см фоточувствительность стремится к насыщению, быстродействие падает, а вольт-амперная характеристика суперлинейна из-за ударной ионизации электронно-колебательных центров с глубокими энергетическими уровнями при участии акустических фононов. Измерены энергии уровней и частоты фононов. Фононы способны стимулировать ударную ионизацию центров. Поперечное к току магнитное поле с индукцией до 1.8 Тл устраняет ударную ионизацию в электрических полях вплоть до пробоя, что может способствовать увеличению быстродействия и фоточувотвительности приборов.

Гальперин Ю.М., Дричко И.Л., Илисавский Ю.В., Кудинова В.А. «О возможности получения и использования эффекта усиления ультразвука полупроводниками в магнитном поле» Успехи физических наук, 98, № 9, с. 738-739 (1969)

Доклад на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии АН СССР (26–27 марта 1969 г.)

Гуревич В.Л. «Полупроводниковый звуковой генератор – акустический "лазер» Успехи физических наук, 104, № 8, с. 672-673 (1971)

Доклад на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии АН СССР (17–18 февраля 1971 г.).

Гальперин Ю.М., Зильберман П.Е., Иванов С.Н., Каган В.Д., Мансфельд Г.Д. «Новый тип акустоэлектрической нелинейности (нелинейное затухание Ландау звуковых волн)» Успехи физических наук, 105, № 12, с. 774-775 (1971)

Доклад на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Академии наук СССР (28–29 апреля 1971 г.).

Смоленский Г.А., Леманов В.В., Шерман А.Б., Добровольский А.А., Гальперин Ю.М., Козуб В.П. «Акустоэлектронное взаимодействие в системе пьезоэлектрик-вторичные электроны» Успехи физических наук, 134, № 5, с. 167-168 (1981)

Рысаков В.М. «Акустоэлектронная неустойчивость в пьезополупроводниках"» Успехи физических наук, 161, № 12, с. 1-37 (1991)

Обзор содержит основные результаты исследования процесса развития акустоэлектронной неустойчивости в объемных пьезополупроводниках А₃В₅ и А₂В₆. Кратко приведены результаты классической теории линейного и нелинейного акустоэлектронного взаимодействия, рассмотрен также энергетический подход к этой проблеме. Далее проанализированы особенности процесса развития неустойчивости, в частности, когерентные свойства потока. Затем кратко рассмотрены экспериментальные методы исследования, причем основное внимание уделено принципиальным особенностям наиболее эффективного метода, а именно – метода рассеяния Мандельштама–Бриллюэна. Далее приведены результаты основных экспериментов и сделана попытка интерпретировать их в рамках единой модели. Подчеркнуто, что режим большого усиления, когда развивается бегущий акустоэлектрический домен, требует дальнейшего изучения.

Чигарев Н.В. «Электронно-деформационный механизм фотовозбуждения гиперзвука в полупроводниках при постоянном электрическом поле» Квантовая электроника, 32, № 9, с. 844-846 (2002)

Исследовано влияние постоянного электрического поля на фотовозбуждение импульса гиперзвука в полупроводнике под действием электронно-деформационного механизма. Промоделированы профили акустических импульсов при различных направлениях электрического поля.

Костин Ю.О., Ладугин М.А., Лобинцов А.А., Мармалюк А.А., Чаморовский А.Ю., Шраменко М.В., Якубович С.Д. «Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в "ближайшем" ИК диапазоне спектра» Квантовая электроника, 45, № 7, с. 697-700 (2015)

Разработаны два типа лазеров на основе новых квантоворазмерных полупроводниковых оптических усилителей с перестраиваемым акустооптическим фильтром во внешнем кольцевом оптоволоконном резонаторе. Они обладают полосами непрерывной спектральной перестройки шириной 780–885 нм и 880–1010 нм, непрерывной выходной оптической мощностью до 20 мВт и скоростью перестройки до 104 нм/с при мгновенной спектральной ширине линии менее 0.1 нм.

Блок А.С., Бухенский А.Ф., Крупицкий Э.И., Морозов С.В., Пелевин В.Ю., Сергеенко Т.Н., Яковлев В.И. «Фурье-процессоры электрических сигналов на полупроводниковых лазерах» Квантовая электроника, 22, № 10, с. 997-1000 (1995)

Исследованы акустооптические и волоконно-оптические фурье-процессоры электрических сигналов на полупроводниковых лазерах. Описан практически реализованный акустооптический процессор, имеющий полосу анализа 120 МГц, разрешение 200 кГц и габариты 768618 см. Рассмотрены волоконно-оптические фурье-процессоры – новый предлагаемый класс приборов, перспективных для обработки сигналов гигагерцового диапазона

Зверев М.М., Кутковой А.В., Якушин В.К. «Влияние динамических деформаций на параметры импульсных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком» Квантовая электроника, 23, № 4, с. 295-298 (1996)

Для объяснения имеющихся экспериментальных результатов активный элемент импульсного полупроводникового лазера с электронно-лучевой накачкой представлялся в виде акустической ячейки. Представлены результаты измерений расходимости излучения лазера на CdS при накачке импульсами электронов с энергией 250 кэВ и длительностью 1 и 10 нс, ватт-амперные характеристики излучения кристаллов, накачиваемых через щелевидную диафрагму, ориентированную вдоль или поперек кристаллографической оси, а также результаты измерений размеров зон разрушений лазеров с поперечной накачкой при различных энергиях импульсов накачки. Полученные данные объясняются возникновением упругих деформаций кристалла в течение и после окончания импульса накачки.

Симаков И.Г., Гулгенов Ч.Ж. «Влияние полимолекулярной адсорбции воды на параметры акустоэлектронных устройств» Вестник Бурятского государственного университета, № 3, с. 171-175 (2009)