Вдовенков В.А., Прокофьева С.П. «Особенности работы быстродействующих фоторезисторов с барьерами Шоттки» Журнал технической физики, 61, № 9, с. 67-72 (1991)

Исследованы фотоприемники с конструкцией фоторезистора на основе однородного арсенида галлия, компенсированного хромом и кислородом с удельным сопротивлением ∼10⁶ Ом·см, с перекрывающимися областями обеднения контактов Шоттки. Показано, что в электрических полях выше1.3·10³ В/см фоточувствительность стремится к насыщению, быстродействие падает, а вольт-амперная характеристика суперлинейна из-за ударной ионизации электронно-колебательных центров с глубокими энергетическими уровнями при участии акустических фононов. Измерены энергии уровней и частоты фононов. Фононы способны стимулировать ударную ионизацию центров. Поперечное к току магнитное поле с индукцией до 1.8 Тл устраняет ударную ионизацию в электрических полях вплоть до пробоя, что может способствовать увеличению быстродействия и фоточувотвительности приборов.