Маняхин Ф.И., Наими Е.К., Рабинович О.И., Сушков В.П. «Динамически-емкостной метод измерения концентрации неподвижных зарядовых центров в полупроводниковых материалах типа A^IIIB^V, подвергаемых ультразвуковому воздействию» Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 72, № 5, с. 20-25 (2006)

Разработана методика ультразвукового воздействия (УЗ) на полупроводниковые материалы типа A^IIIB^V. Предложен оригинальный неразрушающий метод исследования структуры полупроводниковых материалов (на примере GaP(N)) и измерения концентрации неподвижных зарядовых центров в активной области светоизлучающих диодов (СД) – метод динамической барьерной емкости. Исследовано влияние УЗ воздействия на основные характеристики светодиодов зеленого цвета свечения на основе GaP(N). Предложена модель механизма структурных изменений материала под воздействием ультразвуковых колебаний и деградации указанных характеристик (параметров) светодиодов, согласно которой УЗ колебания создают в кристалле СД структуры пьезоэлектрическое поле, вызывающее разогрев свободных носителей заряда, что приводит к образованию точечных дефектов и возникновению в запрещенной зоне уровней безызлучательной рекомбинации.