Шамирзаев Т.С. «Новый класс полупроводниковых гетероструктур: квантовые ямы и квантовые точки первого рода с непрямой запрещенной зоной» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 14 (2013)

Экспериментально и теоретически обосновывается существование нового класса полупроводниковых гетероструктур – квантовых точек (КТ) первого рода, с непрямой запрещенной зоной. Показано, что доминирующим механизмом спиновой релаксации локализованных в КТ экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона.

Щербаков А.В., Jager J., Bombeck M., Яковлев Д.Р., Liu X., Furdyna J., Акимов А.В., Bayer M. «Гигагерцовая модуляция намагниченности ферромагнитного (Ga,Mn)As под действием импульсов сдвиговой деформации» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 18 (2013)

На опыте пикосекундный импульс сдвиговой деформации модулирует магнитную анизотропию эпитаксиального слоя (Ga,Mn)As и вызывает когерентную прецессию намагниченности, частота которой достигает 50 ГГц а амплитуда составляет до 15% от намагниченности насыщения. Исследуемые в работе эффекты обусловлены особенностью магнитокристаллической анизотропии ферромагнитного (Ga,Mn)As, которая позволяет использовать деформацию для управления намагниченностью с эффективностью, недостижимой для большинства ферромагнитных материалов. С использованием методов пикосекундной акустики становится возможной высокочастотная модуляция намагниченности, максимальная эффективность которой достигается при использовании импульсов сдвиговой деформации.

Андреев И.В., Муравьев В.М., Кукушкин И.В. «Акустические краевые магнитоплазмоны в двумерных электронных системах» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 49 (2013)

Главный результат состоит в том, что j-я мода акустических краевых магнитоплазмонов (АКМП) наблюдается в области факторов заполнения ν>2j и обрывается на факторе заполнения ν=2j, причем как частота, так и амплитуда j-й моды обращаются в этот момент в нуль. Таким образом, количество акустических мод напрямую определяется количеством несжимаемых полосок на краю системы. Также показано, что при понижении температуры в двумерной электронной системе (ДЭС) возникают дополнительные АКМП моды, связанные со спиновым расщеплением в энергетическом спектре системы. Исследована зависимость относительной амплитуды мод от фактора заполнения ДЭС. Полученные результаты свидетельствуют об определяющем влиянии на свойства АКМП структуры края ДЭС.

Леонидов А.А., Шерстнев В.В., Монахов А.М., Донцов А.А., Ларченков M.И., Гребенщикова Е.А., Баранов А.Н., Яковлев Ю.П. «Полупроводниковые WGM лазеры на основе связанных дисковых резонаторов» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 77 (2013)

Моды шепчущей галереи являются универсальными линейными возбуждениями дисковых и кольцевых резонаторов. Впервые они наблюдались в 1910 году как звуковые волны, распространяющейся вдоль наружной стены галереи для посетителей, в круглом зале собора Св. Павла в Лондоне и были исследованы лордом Релеем. Придуманное для этого акустического явления название "моды шепчущей галереи" – whispering gallery modes (WGM) было использовано для обозначения собственных мод дисковых резонаторов. Мы использовали это явление для создания нового типа WGM-лазера в средней ИК-области спектра.

Гаврилов С.С., Гиппиуc Н.А. «Акусто-поляритонные эффекты в полупроводниковых микрорезонаторах» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 121 (2013)

Показано, что неравновесные переходы в системе планарных поляритонов при стационарной оптической накачке в направлении нормали к поверхности можно контролировать акустическим воздействием: деформационным импульсом пикосекундной длительности, который обратимо изменяет энергию экситонного перехода. Показано, что импульсное акустическое возбуждение может приводить к переключению режима нелинейного пропускания, связанному с переходами между различными мультистабильными состояниями микрорезонатора.

Зобов Е.М., Зобов М.Е., Крамынин С.П. «Влияние ультразвука на люминесцентные свойства монокристаллов ZnSe» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 152 (2013)

Проведены исследования люминесцентных свойств кристаллов, ZnSe обработанных ультразвуком (УЗ). Обработка УЗ осуществлялась по методике, разработанной Наими Е.К. Исследования показали, что УЗ обработка приводит: а) к росту интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) всех обработанных кристаллах; б) в ряде кристаллов ZnSe рост интенсивности ФЛ сопровождается трансформацией спектров излучения; в) к концентрационному перераспределению электронных ловушек, что сопровождается изменением интенсивности полос термостимулированной люминесценции.

Гуляев Д.В., Журавлев К.С. «Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 222 (2013)

Исследовалось влияние электрического поля, генерируемого стоячей поверхностной акустической волной на стационарную фотолюминесценцию (ФЛ) и кинетику ФЛ экситонов в GaAs/AlAs сверхрешетках 2-го рода.

Клоков А.Ю., Цветков В.А., Шарков А.И., Аминев Д.Ф., Мартовицкий В.П., Лобанов Д.Н. «Когерентные фононы в наноструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 242 (2013)

Приводятся результаты исследования методом оптического возбуждения/зондирования (pump/probe) распространения когерентных фононов в напряженных SiGe/Si наноструктурах с двойными квантовыми ямами. У образца с наноостровками (концентрацией Ge 32%) присутствуют линии с частотами ∼50 ГГц и 76 ГГц. Линия 76 ГГц соответствует рассеянию Мандельштама–Бриллюэна на продольных акустических фононах в кремнии (001). Что касается линии 50 ГГц, то мы предполагаем, что она соответствует рассеянию зондирующего луча на поперечных акустических фононах, которое становится существенным из-за упругих напряжений, вызванных формированием островковой структуры.

Ковалев В.М., Чаплик А.В. «Взаимодействие двумерных непрямых дипольных экситонов с поверхностными акустическими волнами и двумерной электронной плазмой» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 249 (2013)

Работа посвящена теоретическому анализу процессов взаимодействия двумерных дипольных экситонов с акустическими фононами поверхностной волны, а также с бозе и ферми возбуждениями двумерного электронного газа в гибридной структуре.

Милёхин А.Г., Ерюков Н.А., Дмитриев Д.В., Toropov A.B., Никифоров А.И., Zahn D.R.T. «Анизотропия акустических фононов в сверхрешетках InAs/AlAs и Ge/Si с квантовыми точками» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 283 (2013)

Представлены результаты исследования анизотропии свернутых акустических фононов в сверхрешетках InAs/AlAs и Ge/Si с квантовыми точками с помощью комбинационного рассеяния света.

Молодкин В.Б., Бровчук С.М., Низкова А.И., Лизунова С.В. «Универсальная модель деформационной зависимости полной интегральной интенсивности динамической дифракции в кристаллах с дефектами» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 326 (2013)

Метод неразрушающей диагностики дефектов с помощью деформационных зависимостей (ДЗ) полной интегральной интенсивности динамической дифракции (ПИИДД) (R_i) при деформации монокристалла с помощью ультразвуковых колебаний целесообразно применять в области промежуточных толщин монокристалла. Целью работы является разработка единой модели ДЗ ПИИДД(R_ib) для кристаллов любой толщины.

Гудков В.В., Жевстовских И.В., Окулов В.И., Маякин В.Ю., Сарычев М.Н. «Резонансная температурная зависимость коэффициента поглощения ультразвука электронами гибридизированных состояний примесей кобальта в селениде ртути» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 330 (2013)

Приведены результаты экспериментов по температурной зависимости коэффициента поглощения ультразвука в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта малой концентрации, в которых обнаружена резонансная аномалия в интервале температур, отвечающем уже известным проявлениям гибридизированных состояний.

Аверкиев Н.С., Барышников К.А., Берсуке И.Б., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Маякин В.Ю., Монахов А.М., Сарычев М.Н., Седов В.Е. «Ультразвуковые исследования вибронного взаимодействия в кристалле GaAs:Cu» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 339 (2013)

Грешнов А.А., Бельтюков Я.М. «Моделирование квантового эффекта Холла в графене» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 399 (2013)

С целью выяснения причин такой устойчивости графена к повышению температуры проводится численное моделирование магнетотранспорта с учетом электрон-фононного взаимодействия, управляющего шириной платоквантового эффекта Холла. Для описания электронных состояний в графене в присутствии сильного магнитного поля и беспорядка использован эффективный гамильтониан. Полученные путем численной диагонализации одноэлектронного гамильтониана волновые функции затем использовались для расчета темпов переходов с участием акустических фононов. Принципиальным отличием графена от квантовых ям является помимо линейного спектра носителей ограничение возбуждений в поперечном направлении единственным атомным слоем. В результате фононы оказываются существенно двумерными, и сила электрон-фононного взаимодействия заметно ослабевает (при наличии подложки чувствуется лишь край трехмерной волны).

Федичкин Л.Е., Васильев А.Ю. «Декогеренция электронных состояний в тройных квантовых SiGe точках вызванная фононами» XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2013 г. Тезисы докладов, с. 435 (2013)