Двоешерстов М.Ю., Чередник В.И., Беляев А.В., Денисова А.В., Сидорин А.П. «Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al₂O₃ и GAN/Al₂O₃ для акустоэлектронных СВЧ устройств» Современные наукоемкие технологии, № 9, с. 24-30 (2010)

Проведены экспериментальные измерения кристаллографических свойств гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN, выращенных на подложках из сапфира Al₂O₃ методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств.

Хвостиков А.С., Космынин А.В., Щетинин В.С., Смирнов А.В., Блинков С.С. «Определения траектории движения шпинделя на бесконтактных опорах методом виброакустической эмиссии» Современные наукоемкие технологии, № 9, с. 182-183 (2010)