Можаев В.Г. «Особенности генерации второй акустической гармоники в пьезополупроводниках» Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия, № 2, с. 78 (1979)

Относительно сильная акустоэлектронная нелинейность свойств, пьезополупроводников дает возможность создавать нелинейные акустические устройства аналоговой обработки сигнальной информации. Типичным проявлением свойств таких материалов при распространении в них акустической волны является образование волны удвоенной частоты. Рассматривается зависимость амплитуды волны второй гармоники от проводимости пьезополупроводника. Задача решается с. помощью феноменологической системы уравнений методом заданного поля с использованием разложения по малому параметру – коэффициенту электромеханической связи. Анализ решения показал, что при малых длинах кристаллов зависимость от проводимости имеет вид релаксационной кривой – кривой с одним максимумом. При увеличении длины кристаллов затухание и дисперсия изменяют эту зависимость. Влияние затухания приводит к тому, что на релаксационной кривой появляется дополнительный минимум, проявляющийся тем сильнее, чем большая длина у кристалла. Дисперсия приводит к появлению осцилляционной зависимости от проводимости. При этом количество осцилляций прямо пропорционально длине кристалла. Экспериментально изменять соотношение влияний дисперсии и затухания на процесс генерации волны второй гармоники можно с помощью постоянного электрического поля, приложенного к кристаллу. Получены оценки параметров, при которых можно наблюдать ту или иную зависимость от проводимости.

Можаев В.Г., Солодов И.Ю. «О генерации второй гармоники акустических волн в пьезоп олупроводниках» Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия, № 4, с. 46-53 (1980)

Методом последовательных приближений получено выражение для амплитуды второй акустической гармоники в пьезополупроводнике. Анализируются пространственные характеристики и зависимости амплитуды второй гармоники от проводимости кристалла при различных соотношениях затухания и дисперсионно расстройки акустических волн основной частоты и второй гармоника.

Славутский Л.А., Солодов И.Ю. «Особенности генерации гармоник поверхностных акустических волн в структурах пьезоэлектрик–полупроводник» Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия, № 5, с. 118-121 (1984)

Заключается, что высокая нелинейность слоистых структур может оказывать определяющие влияние на амплитудные и фазовые характеристики взаимодействующих волн по сравнению с процессами дисперсии и затухания.

Номоконов Д.В. «Акустический транспорт заряда при наличии тянущего поля» Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 4, № 3, с. 48-52 (2007)

На основе одномерной аналитической модели рассмотрен акустический транспорт заряда при наличии тянущего поля. В аналитической форме найдено самосогласованное распределение плотности заряда в транспортируемом сгустке и соответствующее ему распределение итогового потенциала нагруженной этим зарядом потенциальной ямы. Проведенный расчет позволяет определить степень влияния тянущего поля на такую характеристику акустического транспорта как предельная зарядовая емкость ям потенциала пьезоактивной акустической волны.

Вязовский М.В., Сыродоев Г.А. «Генерация акустических фононов в полупроводниковой сверхрешётке при внутризонном поглощении электромагнитной волны» Известия высших учебных заведений. Радиофизика, 48, № 5, с. 436-440 (2005)

Найден коэффициент затухания звуковой волны при внутризонном многофотонном поглощении электромагнитной волны в сверхрешётке. Для двух направлений распространения звука, поперечного и продольного относительно оси сверхрешётки, найдены области изменения знака коэффициента затухания звука. Проведено численное суммирование ряда для коэффициента усиления звуковой волны при типичных параметрах сверхрешётки. Дана численная оценка коэффициента усиления. Отмечается, что многофотонное поглощение будет оказывать влияние на коэффициент усиления звука в сверхрешётке при значительно меньшей величине поля, чем в обычном полупроводнике.

Петров П.Н., Кравец Е.В. «Пространственная импульсная характеристика акустоэлектронных устройств обработки сигналов антенных решеток» Успехи современной радиоэлектроники, № 2, с. 93-97 (2013)

Рассмотрено влияние параметров малоапертурных преобразователей, погрешностей их изготовления и анизотропии подложки на пространственную импульсную характеристику акустоэлектронного устройства обработки сигналов антенных решёток. Приведены результаты математического моделирования. Real parameters of acoustoelectronic signal processing devices arrays antenna depend on several factors substantially influence on spatial impulse response. The analysis of the directional properties of the acoustic transducers may be made by analogy to antenna axis radiation. However, most of the materials used as substrates of acoustoelectronic devices are crystals. The use of an isotropic model for anisotropic materials leads to significant errors in the design of the acoustic processor. For the calculation of directional diagram of inter-digital transducer in the anisotropic material is necessary to determine the angle between the group and phase velocities. Was held approximates the curve of the phase velocity. The resulting expressions are used for determining the parameters of the spatial impulse response by computer modeling. Directional diagram of element in the array can be very different from the directional diagram of isolated converter. Therefore the influence of the elements needs to be considered. The excitation of one element leads to the excitation of neighboring transducers. Directional diagram of the element in the array is formed with the influence of fields of neighboring elements. The obtained dependencies allow consider the influence between the elements on the characteristics of the device.

Кравец Е.В. «Акустоэлектронное устройство обработки сигналов гидролокаторов кругового обзора для контроля подводных переходов трубопроводов» Датчики и системы, № 1, с. 30-34 (2016)

Рассмотрено устройство пространственной обработки сигналов антенной решетки гидролокатора кругового обзора. Рассмотрены особенности, характеристики устройства, показана актуальность его использования для контроля подводных переходов трубопроводов.

Двоешерстов М.Ю., Чередник В.И., Беляев А.В., Денисова А.В., Сидорин А.П. «Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al₂O₃ и GAN/Al₂O₃ для акустоэлектронных СВЧ устройств» Современные наукоемкие технологии, № 9, с. 24-30 (2010)

Проведены экспериментальные измерения кристаллографических свойств гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN, выращенных на подложках из сапфира Al₂O₃ методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств.

Двоешерстов М.Ю., Чередник В.И., Беляев А.В., Денисова А.В. «Термокомпенсированный СВЧ акустоэлектронный резонатор на основе тонких пленок aLn» Современные наукоемкие технологии, № 11, с. 38-44 (2010)

Hассмотрен термокомпенсированный акустоэлектронный резонатор, работающий на нулевой симметричной моде Лэмба, распространяющейся в тонкопленочной пьезокристаллической структуре (0001) AlN и в двухслойной тонкопленочной структуре (0001) AlN/SiO₂. Рассчитаны скорость волны, коэффициент электромеханической связи, температурный коэффициент задержки в пленке (0001) AlN и в двухслойной тонкопленочной структуре (0001) AlN/SiO₂ в зависимости от относительной толщины пленок.

Коробов А.И., Бражкин Ю.А., Одина Н.И. «Электроакустический эффект в монокристалле титаната стронция при структурном фазовом переходе» Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия, № 6, с. 50-53 (2003)

Приводятся результаты экспериментального исследования особенностей электроакустического эффекта в монокристалле титаната стронция в области структурного фазового перехода при T≈103 К. Проведено измерение скорости распространения продольных ультразвуковых волн частоты 30 МГц как функции внешнего электрического поля E. В функциональной зависимости скорости звука от напряженности электрического поля был обнаружен постепенный переход от квадратичной зависимости к линейной при понижении температуры и приближении ее к при T≈103 К. Появление в области перехода линейного вклада связывается с отклонением симметрии решетки от кубической, вызванным дефектами.

Ермилин К.К., Ермолаева И.В., Кораблев Е.М., Лямов В.Е. «Оценка эффективности акустоэлектронных эффектов в полупроводниках методом «мостика»» Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия, № 1, с. 101-102 (1977)

Приводятся результаты исследования методом «мостика» линейных и нелинейных явлений, связанных с поверхностными акустическими волнами, распространяющимися в фотопроводящих кристаллах сернистого кадмия в изотропной плоскости.

Ланда П.С. «Нелинейное усиление звука в пьезополупроводниках и самосинхронизация мод в акустоэлектрических генераторах.» Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия, № 5, с. 33-38 (1979)

Проведен расчет формы и амплитуды колебаний концентрации носителей, электрического поля и упругого смещения в режиме насыщения при нелинейном усилении звука кристаллами пьезополупроводника. Результаты расчета позволяют получить качественную картину режима самосинхронизации мод в акустоэлектрических генераторах.